[發明專利]CMOS圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710151593.1
• 申請日: 2007-09-28
• 公開（公告）號: CN101211833A
• 公開（公告）日: 2008-07-02
• 發明（設計）人: 李政皓
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L21/265;H01L27/146
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 徐金國;梁揮

1.一種用于制造互補金屬氧化物半導體圖像傳感器的方法，所述方法包括：

將第一傳導型摻雜劑注入半導體襯底中以在半導體襯底表面中形成光電二極管區；

將第二傳導型摻雜劑注入所述光電二極管區中以形成第二傳導型擴散區；以及

將氟離子注入所述第二傳導型擴散區以形成氟擴散區。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，在根據產品的特性控制離子注入能量注入總量的情況下進行所述氟離子的注入。

3.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，進一步包括：

所述形成氟擴散區之后，對所述半導體襯底執行熱處理。

4.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二傳導型摻雜劑包括二氟化硼離子。

5.一種互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，包括：

在半導體襯底中形成的外延層；

在所述外延層中形成的光電二極管區；

在所述光電二極管區中形成的第一擴散區；以及

在所述第一擴散區中形成的第二擴散區。

6.根據權利要求5所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，所述光電二極管區中具有注入所述外延層的第一傳導型摻雜劑。

7.根據權利要求5所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，所述第一擴散區中具有注入所述光電二極管區的第二傳導型摻雜劑。

8.根據權利要求7所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，所述第二傳導型摻雜劑包括二氟化硼離子。

9.根據權利要求5所述的互補金屬氧化物半導體圖像傳感器，其特征在于，所述第二擴散區包括氟離子。