[發明專利]柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池及其吸收層的制備方法有效

申請號：	200710151040.6	申請日：	2007-12-14
公開（公告）號：	CN101459200A	公開（公告）日：	2009-06-17
發明（設計）人：	方小紅	申請（專利權）人：	中國電子科技集團公司第十八研究所
主分類號：	H01L31/042	分類號：	H01L31/042;H01L31/045;H01L31/02;H01L31/18
代理公司：	天津市鼎和專利商標代理有限公司	代理人：	李鳳
地址：	300381天津***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池及其吸收制備方法
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【權利要求書】：

1.柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池吸收層的制備方法，其特征在于：在柔性金屬或聚酰亞胺膜的襯底上，磁控濺射沉積0.5-1.5μm厚的底電極Mo，再在底電極Mo上用CuIn和CuGa合金靶材以磁控濺射法制備厚度為0.6-1.2μm的金屬預制層；將沉積有底電極Mo和銅銦鎵金屬預制層的基片置于石英管中，同時在管中置入0.5-5g的固態硒源，真空密封，放入可分段程序控溫的管式爐中，基片所在區域溫度控制在400-590℃，固態硒源所在區域溫度控制在180-300℃，進行10-30min的硒化處理，使金屬預制層完全轉變為CuIn_1-XGa_XSe₂化合物半導體薄膜。

2.柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池的吸收層制備方法，其特征在于：在柔性金屬或聚酰亞胺膜的襯底上，磁控濺射沉積0.5-1.5μm厚的底電極Mo，再在底電極Mo上用CuIn和CuGa合金靶材以磁控濺射法制備厚度為0.6-1.2μm的金屬預制層；將沉積有底電極Mo和銅銦鎵金屬預制層的基片置于石英管中，同時在管中置入0.5-5g的固態硒源，真空密封，放入可分段程序控溫的管式爐中，基片所在區域溫度控制在400-590℃，固態硒源所在區域溫度控制在180-300℃，進行10-30min的硒化處理，使金屬預制層完全轉變為CuIn_1-XGa_XSe₂化合物半導體薄膜，再用硫源代替硒源，進行硫化過程，最終形成CuIn_1-XGa_XSe₂_-XS₂化合物半導體薄膜。

3.根據權利要求1或2所述的柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池吸收層的制備方法，其特征在于：所述襯底厚度為10-100μm；柔性金屬材料為鈦箔、不銹鋼箔、鉬箔或鋁箔。

4.根據權利要求1或2所述的柔性銅銦鎵硒薄膜太陽電池吸收層的制備方法，其特征在于：所述襯底上的底電極Mo為雙層膜。

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