[發明專利]SnO₂為襯底的微晶硅薄膜太陽電池用透明導電薄膜的制備方法有效

申請號：	200710150231.0	申請日：	2007-11-19
公開（公告）號：	CN101159297A	公開（公告）日：	2008-04-09
發明（設計）人：	張曉丹;趙穎;熊紹珍;耿新華	申請（專利權）人：	南開大學
主分類號：	H01L31/18	分類號：	H01L31/18
代理公司：	天津佳盟知識產權代理有限公司	代理人：	廖曉榮
地址：	300071***	國省代碼：	天津;12
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摘要：
搜索關鍵詞：	sno sub 襯底微晶硅薄膜太陽電池透明導電制備方法
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【權利要求書】：

1.一種SnO₂為襯底的微晶硅薄膜太陽電池用透明導電薄膜的制備方法，所述微晶硅薄膜太陽電池包括SnO₂襯底及依次沉積在SnO₂襯底上的透明導電薄膜、P型微晶硅、I型本征微晶硅和N型非晶硅，其特征在于：所述在SnO₂襯底上制備透明導電薄膜的沉積方法和制備P型微晶硅、I型本征微晶硅、N型非晶硅的沉積方法相同，該沉積方法采用等離子體增強化學氣相沉積、熱絲化學氣相沉積或者甚高頻等離子體增強化學氣相沉積。

2.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述透明導電薄膜為非晶硅碳或者非晶硅氧。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于：所述在SnO₂襯底上制備透明導電薄膜的沉積方法中所使用的氣源包括以氫稀釋的硅烷氣體，含硼的有機類氣體或用惰性氣體攜帶的含硼的液態化合物。

4.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述氫稀釋硅烷的濃度SC＝([SiH₄]/([SiH₄]+[H₂]))％≤80％。

5.根據權利要求3所述的方法，其特征在于：所述含硼的有機類氣體或用惰性氣體攜帶的含硼的液態化合物為摻雜劑的濃度BS為含硼氣體與硅烷之比，該BS≤3％。

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