[發明專利]改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法有效
| 申請號： | 200710150230.6 | 申請日： | 2007-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN101159296A | 公開（公告）日： | 2008-04-09 |
| 發明（設計）人： | 張曉丹;趙穎;熊紹珍;耿新華 | 申請（專利權）人： | 南開大學 |
| 主分類號： | H01L31/18 | 分類號： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 天津佳盟知識產權代理有限公司 | 代理人： | 廖曉榮 |
| 地址： | 300071*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 改善 沉積 征微晶硅 薄膜 制備 方法 | ||
1.一種改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
A、將襯底放在真空腔室內；
B、在襯底上沉積P層微晶硅薄膜；
C、采用和沉積P層微晶硅薄膜相同的沉積方法沉積I層本征微晶硅薄膜，根據P層微晶硅薄膜沉積后的腔室環境，對隨后生長的I層本征微晶硅薄膜進行硼補償，控制該I層本征微晶硅薄膜內硼的濃度在1016cm-3～1017cm-3量級范圍內。
2.根據權利要求1所述的改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述沉積方法采用等離子增強化學氣相沉積或者熱絲技術。
3.根據權利要求1或2所述的改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述沉積方法中所用反應氣中包括硅烷、氫氣、硼烷、三甲基硼，甲烷，二氧化碳和三氟化氮氣體。
4.根據權利要求1或2所述的改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述沉積方法中所用的輝光激勵頻率范圍在13.56MHz～100MHz。
5.根據權利要求1或2所述的改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述沉積方法中所用的氫稀釋硅烷濃度SC＝([SiH4]/([SiH4]+[H2]))％≤10％。
6.根據權利要求1或2所述的改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述沉積方法中所用的含硼氣體與硅烷之比(硼摻雜劑濃度)：BS≤3％。
7.根據權利要求1所述的改善單室沉積本征微晶硅薄膜的制備方法，其特征在于：所述襯底為玻璃襯底，該玻璃襯底上帶有透明導電薄膜。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
