[發明專利]顯示裝置及其制造方法

無效

• 申請號: 200710149291.0
• 申請日: 2007-09-11
• 公開（公告）號: CN101174380A
• 公開（公告）日: 2008-05-07
• 發明（設計）人: 崔凡洛;樸慶泰;鄭光哲;宋泳錄
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G09G3/30
• 分類號: G09G3/30;G09G3/32;H05B33/08;H05B33/14;H01L51/50;H01L27/32;G09F9/33
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;馮敏

技術領域

本發明涉及一種顯示裝置，更具體地講，涉及一種有機發光顯示裝置及其制造方法。

背景技術

當前，有機發光裝置與液晶顯示器(LCD)被期望作為平板顯示裝置。有源矩陣有機發光裝置包括有機發光二極管(OLED)和用于將電流供應給有機發光二極管的驅動薄膜晶體管(TFT)。

顯示器中使用的TFT的類型根據有源層的類型包括多晶硅TFT和非晶硅TFT。采用多晶硅TFT的有機發光裝置由于各種優點被廣泛使用，但是該TFT的制造工藝復雜并且具有低的均勻性。然而，采用非晶硅TFT的有機發光裝置能夠容易地被用于形成寬的屏幕，并且與采用多晶硅TFT的有機發光裝置相比，顯示器具有相對少的制造工藝。

隨著有機發光裝置的尺寸的增大，提供相同亮度所需的電流的消耗增加。然而，因為由于增加的消耗電流導致在傳輸高驅動電壓的過程中產生電壓降，因此屏幕顯示均勻性劣化并產生串擾。

因此期望提供一種通過在傳輸驅動電壓的過程中避免產生電壓降，將驅動電壓更穩定地提供給有機發光裝置而具有提高的屏幕顯示均勻性的優點的顯示裝置。

發明內容

本發明的示例性實施例提供一種顯示裝置，包括：基底，包括顯示區域和外圍區域；驅動電壓線，形成在顯示區域中；第一驅動器，附于外圍區域；驅動電壓傳輸單元，將來自第一驅動器的驅動電壓傳輸到驅動電壓線，并包括形成在不同層的第一布線和第二布線。在接觸區域中第一布線和第二布線通過用于暴露第一布線的多個第一接觸孔和用于暴露第二布線的多個第二接觸孔相互連接，在接觸區域中第一布線和第二布線的分界線是彎曲的。

顯示裝置還可包括連接構件，用于通過多個第一接觸孔和多個第二接觸孔連接第一布線和第二布線。

第一布線可被布置得比第二布線低。

分界線可具有布置在垂直邊并沿關于所述垂直邊的一個方向延伸的多個凸出部分和多個凹進部分。

分界線可具有多對凸出部分和多對凹進部分，所述每對凸出部分和每對凹進部分關于中心垂直線位于相反的方向。

分界線可具有閉合曲線。

分界線可具有關于閉合曲線彼此相對的成對的凹進部分對。

顯示裝置還可包括在顯示區域形成的多根掃描信號線和與所述掃描信號線相交的多根數據線。

第一布線可由與掃描信號線或數據線的材料相同的材料制成。

第二布線可由與掃描信號線或數據線的材料相同的材料制成。

連接構件可由透明的導電材料制成。

驅動電壓傳輸單元可沿外圍區域形成。

接觸區域可關于顯示區域與第一驅動器相對。

顯示裝置還可包括第二驅動器，用于將掃描信號施加到掃描信號線。

第二驅動器可與基底集成。

第二驅動器可被劃分為兩個部分，所述兩個部分彼此相對且顯示區域布置在它們之間。

第一驅動器可將數據電壓施加到數據線。

顯示裝置還可包括形成在第一布線和第二布線之間的絕緣層。

本發明的另一實施例提供一種顯示裝置，該顯示裝置包括：基底，包括顯示區域和外圍區域；驅動電壓線，形成在顯示區域中；第一驅動器，附于外圍區域；驅動電壓傳輸單元，將來自第一驅動器的驅動電壓傳輸到驅動電壓線，并包括形成在不同層的第一布線和第二布線。在接觸區域中第一布線和第二布線通過用于暴露第一布線的多個第一接觸孔和用于暴露第二布線的多個第二接觸孔相互連接，在接觸區域中第一布線和第二布線的分界線是彎曲的。

本發明的又一實施例提供一種制造包括多個像素的顯示裝置的方法，所述方法包括：在基底上形成第一布線；在第一布線上形成絕緣層；在絕緣層上形成第二布線；在第二布線上形成鈍化層；在鈍化層中形成暴露第二布線的第一接觸孔；在鈍化層和絕緣層中形成暴露第一布線的第二接觸孔；和形成通過第一接觸孔和第二接觸孔連接第一布線和第二布線的連接構件，其中，第一布線和第二布線將驅動電壓傳輸到所述像素，第一布線和第二布線的分界線是彎曲的。

形成第二組接觸孔的步驟可包括：蝕刻鈍化層；和蝕刻絕緣層。

可同時執行蝕刻鈍化層和蝕刻絕緣層。

所述分界線可具有布置在垂直邊并關于所述垂直邊的一個方向延伸的多個凸出部分和多個凹進部分。

所述分界線可具有多對凸出部分和多對凹進部分，所述每對凸出部分和每對凹進部分關于中心垂直線位于相反的方向。

所述分界線可具有閉合曲線。

所述分界線還可具有關于閉合曲線彼此相對的成對的凹進部分。

第一布線和第二布線可沿基底的邊緣形成。

附圖說明