[發明專利]陣列基底和具有該陣列基底的顯示裝置

無效

• 申請號: 200710149204.1
• 申請日: 2007-09-06
• 公開（公告）號: CN101149550A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: 李奉俊;許命九;金圣萬;李洪雨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36;H01L27/12;H01L23/522
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司
• 代理人: 郭鴻禧;邱玲

1.一種陣列基底，包括：

底基底；

多個像素，布置在底基底上；

每個像素包括：

柵極線，用于在當前一個水平掃描時間段內接收柵極脈沖；

數據線，用于接收像素電壓，數據線與柵極線絕緣并與柵極線交叉；

薄膜晶體管，連接到柵極線和數據線，以在當前一個水平掃描時間段內響應于柵極脈沖來輸出極性每幀被反轉的像素電壓；

像素電極，連接到薄膜晶體管，以在當前一個水平掃描時間段內接收像素電壓；

預充電部分，用于在前一個水平掃描時間段內響應于前柵極脈沖將像素電極預充電至共電壓，其中，共電壓是像素電壓的基準電壓。

2.如權利要求1所述的陣列基底，其中，像素電壓具有相對于共電壓的正極性或負極性。

3.如權利要求1所述的陣列基底，還包括用于接收共電壓的存儲線。

4.如權利要求3所述的陣列基底，其中，預充電部分包括預充電晶體管，預充電晶體管連接到前柵極線和存儲線，以在前一個水平掃描時間段內響應于前柵極脈沖來向像素電極輸出共電壓。

5.如權利要求4所述的陣列基底，其中，存儲線由與數據線相同的層形成。

6.如權利要求5所述的陣列基底，其中，預充電晶體管包括：

柵電極，從前柵極線分支出來；

源電極，從存儲線分支出來；

漏電極，連接到像素電極。

7.如權利要求3所述的陣列基底，其中，存儲線由與柵極線相同的層形成。

8.如權利要求3所述的陣列基底，其中，每個像素具有水平像素結構，在所述水平像素結構中，像素沿著柵極線延伸的方向的長度比像素沿著數據線延伸的方向的長度長。

9.如權利要求8所述的陣列基底，其中，存儲線包括：

第一存儲線，與前柵極線相鄰地布置，第一存儲線基本上與前柵極線平行并與像素電極疊置；

第二存儲線，與柵極線相鄰地布置，第二存儲線基本上與柵極線平行并與像素電極疊置；

第三存儲線，與數據線基本平行，第三存儲線連接第一存儲線和第二存儲線并與像素電極疊置。

10.如權利要求3所述的陣列基底，其中，每個像素具有垂直像素結構，在所述垂直像素結構中，像素沿著數據線延伸的方向的長度比像素沿著柵極線延伸的方向的長度長。

11.如權利要求10所述的陣列基底，其中，存儲線包括：

第一存儲線和第二存儲線，彼此分隔開，基本與數據線平行并與像素電極疊置；

第三存儲線，基本與柵極線平行，第三存儲線連接第一存儲線和第二存儲線并與像素電極疊置。

12.一種顯示裝置，包括：

陣列基底，包括底基底和布置在底基底上的多個像素；

相對基底，與陣列基底結合并面對陣列基底；

柵極驅動電路，用于向像素施加柵極脈沖；

數據驅動電路，用于向像素施加極性每幀被反轉的像素電壓，

每個像素包括：

柵極線，用于在當前一個水平掃描時間段內接收柵極脈沖；

數據線，用于接收像素電壓，數據線與柵極線絕緣并與柵極線交叉；

薄膜晶體管，連接到柵極線和數據線，以在當前一個水平掃描時間段內響應于柵極脈沖來輸出像素電壓；

像素電極，連接到薄膜晶體管，以在當前一個水平掃描時間段內接收像素電壓；

預充電部分，用于在前一個水平掃描時間段內響應于前柵極脈沖將像素電極預充電至共電壓，

其中，共電壓是像素電壓的基準電壓。

13.如權利要求12所述的顯示裝置，還包括用于接收共電壓的存儲線。

14.如權利要求13所述的顯示裝置，其中，預充電部分包括預充電晶體管，預充電晶體管連接到前柵極線和存儲線，以在前一個水平掃描時間段內響應于前柵極脈沖來向像素電極輸出共電壓。

15.如權利要求12所述的顯示裝置，其中，通過在陣列基底上形成像素的薄膜工藝，柵極驅動電路直接形成在陣列基底上。