[發(fā)明專利]導(dǎo)線架中具有金屬焊墊的匯流條的交錯偏移堆疊封裝結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710148901.5 | 申請日: | 2007-09-12 |
| 公開(公告)號: | CN101388382A | 公開(公告)日: | 2009-03-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 陳煜仁;沈更新 | 申請(專利權(quán))人: | 南茂科技股份有限公司;百慕達南茂科技股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/00 | 分類號: | H01L25/00;H01L25/065;H01L23/488;H01L23/495;H01L23/31 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 周國城 |
| 地址: | 臺灣省新竹*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 導(dǎo)線 具有 金屬 匯流 交錯 偏移 堆疊 封裝 結(jié)構(gòu) | ||
1.一種多芯片堆疊的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于包含:
一導(dǎo)線架,由多個相對排列的內(nèi)引腳、多個外引腳、至少一匯流條以及一芯片承座所組成,其中該芯片承座是配置于該多個相對排列的內(nèi)引腳之間,且與該多個相對排列的內(nèi)引腳形成一高度差,而該匯流條是配置于該多個相對排列的內(nèi)引腳與該芯片承座之間,且與該芯片承座形成一共平面,且該匯流條上還被覆一絕緣層,該絕緣層上選擇性地形成多個金屬焊墊;
一多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu),是固接于該芯片承座之上,該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu),由多個第一芯片及多個第二芯片交互交錯并以一偏移量堆疊而成,且每一該第一芯片的一有源面上的一側(cè)邊附近配置并暴露多個焊墊及每一該第二芯片的有源面上的相對于該第一芯片的該多個暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露多個焊墊;
多條金屬導(dǎo)線,用以將該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)的該多個第一芯片及該多個第二芯片上的多個焊墊與該多個成相對排列的內(nèi)引腳群電性連接;以及
一封裝體,包覆該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)及該導(dǎo)線架,該多個外引腳是伸出于該封裝體外;
其中該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)是越上層的芯片交互覆蓋下層芯片的面積越大,以及配制在下層芯片的有源面上的焊墊均未被上層芯片所遮蓋。
2.一種多芯片堆疊的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于包含:
一導(dǎo)線架,由多個外引腳、多個相對排列的內(nèi)引腳、至少一匯流條以及一芯片承座所組成,其中該芯片承座是配置于該多個相對排列的內(nèi)引腳之間,且與該多個相對排列的內(nèi)引腳形成一高度差,而該匯流條是配置于該多個相對排列的內(nèi)引腳與該芯片承座之間,且與這些內(nèi)引腳形成一共平面,且該匯流條上還被覆一絕緣層,該絕緣層上選擇性地形成多個金屬焊墊;
一多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu),固接于該芯片承座的上,該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)由多個第一芯片及多個第二芯片交互交錯并以一偏移量堆疊而成且每一該第一芯片的一有源面上的一側(cè)邊附近配置并暴露多個焊墊及每一該第二芯片的有源面上的相對于該第一芯片的該多個暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露多個焊墊;
多條金屬導(dǎo)線,用以將該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)的該多個第一芯片及該多個第二芯片上的多個焊墊與該多個成相對排列的內(nèi)引腳群電性連接;以及
一封裝體,包覆該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)及該導(dǎo)線架,該多個外引腳是伸出于該封裝體外;
其中該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)是越上層的芯片交互覆蓋下層芯片的面積越大,以及配制在下層芯片的有源面上的焊墊均未被上層芯片所遮蓋。
3.一種多芯片堆疊的封裝結(jié)構(gòu),其特征在于包含:
一導(dǎo)線架,是由多個外引腳、多個相對排列的內(nèi)引腳、至少一匯流條以及一芯片承座所組成,其中該芯片承座是配置于該多個相對排列的內(nèi)引腳之間,且與該多個相對排列的內(nèi)引腳形成一高度差,該匯流條配置于該多個相對排列的內(nèi)引腳與該芯片承座之間,且與該多個相對排列的內(nèi)引腳與該芯片承座形成一高度差,且該匯流條上還被覆一絕緣層,該絕緣層上選擇性地形成多個金屬焊墊;
一多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu),一多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu),固接于該芯片承座之上,該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)由多個第一芯片及多個第二芯片交互交錯并以一偏移量堆疊而成且每一該第一芯片的一有源面上的一側(cè)邊附近配置并暴露多個焊墊及每一該第二芯片的有源面上的相對于該第一芯片的該多個暴露焊墊的另一側(cè)邊附近亦配置并暴露多個焊墊;
多條金屬導(dǎo)線,用以將該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)的該多個第一芯片及該多個第二芯片上的多個焊墊與該多個成相對排列的內(nèi)引腳群電性連接;以及
一封裝體,包覆該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)及該導(dǎo)線架,該多個外引腳是伸出于該封裝體外;
其中該多芯片交錯偏移堆疊結(jié)構(gòu)是越上層的芯片交互覆蓋下層芯片的面積越大,以及配制在下層芯片的有源面上的焊墊均未被上層芯片所遮蓋。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個單個半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個或多個同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨容器的器件





