[發(fā)明專利]半導體激光裝置

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710148368.2
• 申請日: 2007-08-31
• 公開（公告）號: CN101136536A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 栗田賢一
• 申請（專利權(quán)）人: 夏普株式會社
• 主分類號: H01S5/00
• 分類號: H01S5/00;H01S5/022;G11B7/125
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所
• 代理人: 葛青

1.一種半導體激光裝置，其特征在于，具有：

半導體激光元件；

第一引線，其具有經(jīng)由固定座部件搭載所述半導體激光元件的搭載部和與該搭載部連接并延伸的引線部；

至少有一個的第二引線；

保持部件，其由絕緣性材料構(gòu)成，并且，以所述第一引線和所述第二引線不電連接的狀態(tài)，一體地保持所述第一引線和所述第二引線，

在平面圖上，從與所述半導體激光元件射出的激光光軸方向正交的方向觀察，所述搭載部具有與所述第二引線重疊的部分。

2.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述搭載部中的所述半導體激光元件的搭載面具有：

大致為矩形的第一部分；

第二部分，其與所述第一部分在所述光軸方向連接，并且，所述光軸方向垂直的方向上的最大尺寸比所述第一部分的寬度方向的尺寸小，

在平面圖中，從與所述光軸方向正交的方向觀察，所述第二部分具有與所述第二引線重疊的部分，并且，具有與所述固定座部件接觸的部分。

3.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一引線的所述引線部具有第一部分和與該第一部分大致平行地延伸的第二部分。

4.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一引線及所述第二引線分別貫通所述保持部件，在所述第一引線及所述第二引線的至少一個中的、貫通所述保持部件的部分具有彎曲的部分。

5.如權(quán)利要求3所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一引線的所述引線部與所述搭載部中的搭載所述半導體激光元件的搭載面連接，并且，具有第一表面部，該第一表面部具有與所述搭載面的法線不平行的法線。

6.如權(quán)利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一引線的所述引線部中的所述半導體激光元件側(cè)的面，具有與所述第二引線中的所述半導體激光元件側(cè)的面位于同一平面上的第二表面部。

7.如權(quán)利要求5所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述第一表面部由所述保持部件覆蓋。

8.如權(quán)利要求2所述的半導體激光裝置，其特征在于，與所述第二部分的所述光軸方向垂直的方向上的最大尺寸為800μm以上。

9.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，具有蓋部，其由絕緣性材料構(gòu)成，并且，在所述搭載部中的所述半導體激光元件的搭載面的法線方向，相對所述搭載部設(shè)置間隔地相對配置。

10.如權(quán)利要求1所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述搭載部的所述半導體激光元件側(cè)的相反側(cè)的表面上的、相對該表面的法線方向的所述半導體激光元件的投影部分露出，將具有規(guī)定熱傳導率以上熱傳導率的散熱部件與所述投影部分接觸。

11.一種半導體激光裝置，其特征在于，具有：

半導體激光元件；

第一引線，其具有經(jīng)由固定座部件搭載所述半導體激光元件的搭載部和與該搭載部連接并延伸的引線部；

至少有一個的第二引線；

保持部件，其由絕緣性材料構(gòu)成，并且，以所述第一引線和所述第二引線不電連接的狀態(tài)，一體地保持所述第一引線和所述第二引線，

關(guān)于與所述第一引線的所述引線部連接的所述搭載部的一部分，所述第二引線的一部分位于與所述半導體激光元件發(fā)射的激光光軸方向正交的方向上的至少一側(cè)。

12.如權(quán)利要求11所述的半導體激光裝置，其特征在于，所述搭載部具有：

大致為矩形的第一部分；

第二部分，其與所述第一部分在所述光軸方向連接，并且，所述光軸方向垂直的方向上的最大尺寸比所述第一部分的寬度方向的尺寸小，

所述第二引線的一部分位于所述第二部分的至少一側(cè)，并且，所述第二部分具有與所述固定座部件接觸的部分。