[發(fā)明專利]晶圓背面對(duì)準(zhǔn)的重疊對(duì)準(zhǔn)精度的判斷方法及其晶圓

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710147981.2
• 申請(qǐng)日: 2007-08-30
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101279710A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-10-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉勝杰;吳子揚(yáng);李雅雯;朱孝碩;周學(xué)良;高嘉宏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): B81C1/00
• 分類號(hào): B81C1/00;B81C5/00;H01L21/66;H01L23/544
• 代理公司: 北京中原華和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司
• 代理人: 壽寧;張華輝

1.一種晶圓背面對(duì)準(zhǔn)的重疊對(duì)準(zhǔn)精度的判斷方法，其特征在于其包含以下步驟：

形成一埋層于一晶圓的正面；

形成一導(dǎo)電層于該埋層上，且圖案化該導(dǎo)電層以形成一第一測(cè)試結(jié)構(gòu)以及一第二測(cè)試結(jié)構(gòu)；

形成一蝕刻中止層于該導(dǎo)電層上；

由該晶圓的背面進(jìn)行晶圓蝕穿以借由該第一測(cè)試結(jié)構(gòu)完成一對(duì)準(zhǔn)程序；以及

借由該第二測(cè)試結(jié)構(gòu)判斷該對(duì)準(zhǔn)程序的重疊對(duì)準(zhǔn)精度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中形成該導(dǎo)電層的步驟中，該第一測(cè)試結(jié)構(gòu)為一光學(xué)游標(biāo)，且該第二測(cè)試結(jié)構(gòu)為一電性測(cè)試結(jié)構(gòu)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其中該由該晶圓的背面進(jìn)行晶圓蝕穿以借由該第一測(cè)試結(jié)構(gòu)完成該對(duì)準(zhǔn)程序的步驟包含：

利用該晶圓正面上的該光學(xué)游標(biāo)由該晶圓的背面執(zhí)行一光學(xué)對(duì)準(zhǔn)程序。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于其更包含：

在該對(duì)準(zhǔn)程序后，透過(guò)光微影制程圖案化該晶圓的背面；以及

蝕刻圖案化后的該晶圓背面。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于其中該蝕刻圖案化后的該晶圓背面步驟包含：

蝕刻部份該電性測(cè)試結(jié)構(gòu)，以形成一頂部電性測(cè)試結(jié)構(gòu)以及一底部電性測(cè)試結(jié)構(gòu)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于其中該借由該第二測(cè)試結(jié)構(gòu)判斷該對(duì)準(zhǔn)程序的重疊對(duì)準(zhǔn)精度步驟包含：

量測(cè)該頂部電性測(cè)試結(jié)構(gòu)以及該底部電性測(cè)試結(jié)構(gòu)的阻抗值。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中該形成該埋層的步驟包含：

配置該埋層形成一薄氧化層，其厚度約為125埃。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其中該形成該導(dǎo)電層的步驟包含：

配置該導(dǎo)電層形成一摻雜多晶硅，其厚度約為3000埃。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于其更包含：

在該蝕刻中止層上形成一保護(hù)層，用以在該晶圓背面加工時(shí)保護(hù)該晶圓的正面，其中該保護(hù)層的厚度約為30000埃。

10.一種用于背面對(duì)準(zhǔn)的晶圓，其特征在于其包含：

一基材，包含一正面以及一背面；

一硬光罩，形成于該基材的該背面上；以及

一對(duì)準(zhǔn)層，形成于該基材的該正面上，其中該對(duì)準(zhǔn)層包含：

一薄氧化層，形成于該基材該正面上；

一導(dǎo)電層，形成于該薄氧化層上；

一厚氧化層，形成于該導(dǎo)電層上；以及

一第一測(cè)試結(jié)構(gòu)以及一第二測(cè)試結(jié)構(gòu)，兩者是以圖案化形成于該導(dǎo)電層上，其中該第一測(cè)試結(jié)構(gòu)是用于一背面對(duì)準(zhǔn)程序，且該第二測(cè)試結(jié)構(gòu)是用于判斷該背面對(duì)準(zhǔn)程序的重疊對(duì)準(zhǔn)精度。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的晶圓，其特征在于其中該薄氧化層的厚度約為125埃，該導(dǎo)電層包含一厚度約為3000埃的摻雜多晶硅，該對(duì)準(zhǔn)層更包含一形成于該厚氧化層上且厚度約為30000埃的保護(hù)層。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶圓，其特征在于其中該第二測(cè)試結(jié)構(gòu)為一電性測(cè)試結(jié)構(gòu)，該電性測(cè)試結(jié)構(gòu)包含：

一組頂部墊體；

一組底部墊體；以及

一中心主體，耦合于該組頂部墊體以及該組底部墊體；

其中在從該基材背面至正面對(duì)該導(dǎo)電層后續(xù)蝕刻的制程中，該中心主體是分成一頂部以及一底部，該頂部是耦合于該組頂部墊體，且該底部是耦合于該組底部墊體。

13.一種用于背面對(duì)準(zhǔn)程序中重疊對(duì)準(zhǔn)精度的判斷方法，其特征在于其包含：

形成一薄氧化層于一半導(dǎo)體晶圓的一正面上；

形成一導(dǎo)電層于該薄氧化層上；

圖案化一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以及一測(cè)試結(jié)構(gòu)于該導(dǎo)電層中；

形成一厚氧化層于該圖案化的導(dǎo)電層上；

翻轉(zhuǎn)該半導(dǎo)體晶圓使該半導(dǎo)體晶圓的一背面朝上；

借由該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記由該半導(dǎo)體晶圓的該背面蝕刻穿至該正面，以執(zhí)行一背面對(duì)準(zhǔn)程序；

在該背面對(duì)準(zhǔn)程序后圖案化并蝕刻穿該導(dǎo)電層；以及

量測(cè)該測(cè)試結(jié)構(gòu)用以判斷該背面對(duì)準(zhǔn)程序的重疊對(duì)準(zhǔn)精度。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于其中該蝕穿該半導(dǎo)體晶圓的步驟是利用一深反應(yīng)離子蝕刻制程來(lái)完成，且該圖案化該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記步驟中的該對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記為一光學(xué)游標(biāo)。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于其中該圖案化并蝕穿該導(dǎo)電層的步驟是蝕刻移除部份的該測(cè)試結(jié)構(gòu)，以形成一頂部測(cè)試結(jié)構(gòu)以及一底部測(cè)試結(jié)構(gòu)，且該量測(cè)該測(cè)試結(jié)構(gòu)的步驟是分別量測(cè)該頂部測(cè)試結(jié)構(gòu)以及該底部測(cè)試結(jié)構(gòu)的一阻抗值。