[發明專利]光盤、光盤裝置、和光盤再現方法

無效

• 申請號: 200710147654.7
• 申請日: 2007-08-31
• 公開（公告）號: CN101136224A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 大寺泰章;吉田展久;中村直正
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: G11B7/24
• 分類號: G11B7/24;G11B7/257;G11B7/258
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳源;張天舒

1.一種光盤，其中以凹坑圖案記錄信息，并且該光盤包括反射膜，所述光盤的特征在于：所述反射膜是以具有第一層(50)和與所述第一層不同的第二層(52)的雙層結構形成的。

2.根據權利要求1的光盤，其特征在于：所述第一層(50)與所述凹坑直接接觸，并且所述第一層(50)的材料是鋁、鋁合金或鋁氧化物。

3.根據權利要求1的光盤，其特征在于：所述第二層(52)與所述第一層(50)接觸，并且所述第二層(52)的材料是銀或銀合金。

4.根據權利要求1的光盤，其特征在于：具有所述反射膜(50+52)的信息記錄層具有一種其中沿所述凹坑圖案的凹坑頂端的指向提供所述反射膜的結構。

5.根據權利要求1的光盤，其特征在于：具有所述反射膜(50+52)的信息記錄層是除了從具有兩個或更多的信息記錄層的多層光盤的激光入射表面看到的最深層(例如L2)之外的一層(L0和/或L1)，并且所述反射膜對所述激光是半透性或半透明的。

6.根據權利要求1的光盤，其特征在于：所述第一層(50)的厚度等于或小于所述第二層(52)的厚度。

7.根據權利要求6的光盤，其特征在于：所述第一層(50)的厚度是小于或等于10nm，所述第一和第二層的總厚度是大于或等于10nm，并且所述第一層(50)的厚度等于或小于所述第二層(52)的厚度。

8.根據權利要求3的光盤，其特征在于：以金或電介質材料替換銀作為所述反射膜的所述第二層(52)的材料。

9.一種光盤裝置，包括：

激光提供單元(120-124)，構成用于將激光提供到一個光盤，該光盤的特征在于：以凹坑圖案記錄信息，并包括反射膜，所述反射膜以具有第一層和與所述第一層不同的第二層的雙層結構形成，

光接收單元(125-127)，構成用于接收由所述激光提供單元提供的激光的反射光，以及

再現單元(140-150)，構成用于通過使用由所述光接收單元接收的反射光來再現所述光盤。

10.一種用于再現光盤的方法，其中所述光盤以凹坑圖案記錄信息，并且所述光盤包括反射膜，所述反射膜以具有第一層和與所述第一層不同的第二層的雙層結構形成，所述方法的特征在于包括步驟：

將激光從所述光盤的表面側提供到所述反射膜側，以便利用反射的激光基于凹坑圖案來再現信息(ST200-ST202)。