[發明專利]冗余位線修復的選擇方法及其裝置

有效

• 申請號: 200710147207.1
• 申請日: 2007-08-30
• 公開（公告）號: CN101377959A
• 公開（公告）日: 2009-03-04
• 發明（設計）人: 陳宗仁
• 申請（專利權）人: 晶豪科技股份有限公司
• 主分類號: G11C29/44
• 分類號: G11C29/44;G11C17/16
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 王志森;黃小臨

技術領域

本發明關于一種冗余位線修復的選擇方法及其裝置，尤其指一種具有靈活性修復能力的冗余位線修復的選擇方法及其裝置。?

背景技術

于制造出半導體存儲器裝置后，會進行多種的測試來判斷其上的電路操作起來是否符合預期的規格，而每一測試中均會用到若干參數來檢查電路的特性以及工作。當半導體存儲器內某部份的正規存儲器單元被發現有缺陷，則此部分的存儲器單元會被冗余存儲器單元取代，使半導體存儲器裝置能夠繼續正常地運作。換句話說，為修復缺陷，包含有可通過高能量光(如激光等)而熔斷的多個熔絲的冗余電路于制造時與半導體存儲器裝置的存儲器單元以及其電路裝置形成為一體。?

如圖1所示，美國專利公開第2005/0207244號專利(后稱’244號專利)公開一種具有冗余修復功能的半導體存儲器裝置1。該半導體存儲器裝置1包含有一正規單元陣列11、一冗余單元陣列12、一單元漏極選擇電路13、一行解碼器電路14、一缺陷單元區塊的行冗余選擇電路15、一鄰接單元區塊的行冗余選擇電路16以及一列解碼電路18。圖2為圖1中正規以及冗余單元陣列的電路圖，如圖所示：正規單元陣列11具有16*8個存儲器單元晶體管，而其中的16個(ML0，MR0，ML1，MR1…ML7，MR7)接收字符線選擇信號WL1。電流經由存儲器漏極選擇晶體管MDSL0，MDSL1…MDSL7而提供給正規單元11，數據信號經由行開關晶體管MBL0，MBL1…MBL7而被讀出。在正規單元陣列11中，正規單元ML2，MR2，ML3，MR3以及其他位于同一行的正規單元組成一單元區塊110。同樣的，正規單元ML0，MR0，ML1，MR1以及其他位于同一行的正規單元組成另一單元區塊；正規單元ML4，MR4，ML5，MR5以及其他位于同一行的正規單元組成又一單元區塊；正規單元ML6，MR6，ML7，MR7以及其他位于同一行的正規單元組成再一單元區塊(圖未示出包含單元ML5，MR5，ML6，MR6，以及ML7的行)。冗余單元陣列12內具有8*8個冗余?單元，即冗余存儲器單元晶體管(冗余單元)，且其中的8個(RML0，RMR0，RML1，RMR1…，RML3，RMR3)接收字符線選擇信號WL1。電流經由存儲器漏極選擇晶體管RMDSL0，RMDSL1…RMDSL4而提供給冗余單元陣列12，數據信號經由冗余行開關晶體管RMBL0，RMBL1…RMBL3而被讀出。在冗余單元陣列12中，冗余單元RML0，RMR0，RML1，RMR1以及其他位于同一冗余行的冗余單元組成一第一冗余單元區塊120，用以取代正規單元陣列11中的缺陷單元區塊(如單元區塊110)。冗余單元RML2，RMR2，RML3，RMR3以及其他位于同一冗余行的冗余單元組成一第二冗余單元區塊121，用以取代與缺陷單元區塊鄰接的無缺陷單元區塊。舉例來說，若單元區塊110有缺陷，則冗余單元區塊121中的存儲器單元會被用來取代與其鄰接的半個區塊111(位于單元區塊110的左側)、與其鄰接的半個區塊112(位于單元區塊110的右側)或與其鄰接的半個區塊111、112。?