[發(fā)明專利]半導體器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710147180.6
• 申請日: 2007-08-30
• 公開（公告）號: CN101136335A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 高光永
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331;H01L29/735
• 代理公司: 中原信達知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司
• 代理人: 夏凱;鐘強

1.一種制造半導體器件的方法，包括：

通過將第二導電類型的雜質(zhì)離子注入到半導體基板中，而在第一導電類型的半導體基板中形成第二導電類型的集電極區(qū)域；

通過將第一導電類型的雜質(zhì)離子注入到集電極區(qū)域，而在集電極區(qū)域中形成第一導電類型的基極區(qū)域；

通過將第二導電類型的雜質(zhì)離子注入到基極區(qū)域中，而在基極區(qū)域中形成第二導電類型的發(fā)射極區(qū)域；

通過將第二導電類型的高濃度雜質(zhì)離子注入到發(fā)射極區(qū)域中，而在發(fā)射極區(qū)域中形成發(fā)射極；

通過將第二導電類型的高濃度雜質(zhì)離子注入到集電極區(qū)域中，而在集電極區(qū)域中形成集電極；以及

通過將第一導電類型的高濃度雜質(zhì)離子注入到半導體基板中，而在半導體基板中形成基極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該形成第二導電類型的發(fā)射極區(qū)域和形成第一導電類型的基極區(qū)域的步驟包括進行快速熱處理。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，該快速熱處理在大約900-1100℃?的溫度下持續(xù)進行大約30-60秒。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第二導電類型的發(fā)射極區(qū)域和第一導電類型的基極區(qū)域是自對準的。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第一導電類型的雜質(zhì)離子包括硼(B)。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，該第二導電類型的雜質(zhì)離子包括磷(P)或砷(As)。

7.一種半導體器件，包括：

第一導電類型的半導體基板；

在半導體基板中形成的第二導電類型的集電極區(qū)域；

在集電極區(qū)域和半導體基板中形成的第一導電類型的基極區(qū)域；

在基極區(qū)域中形成的第二導電類型的發(fā)射極區(qū)域；

在集電極區(qū)域中形成的第二導電類型的集電極；以及

在發(fā)射極區(qū)域中形成的第二導電類型的發(fā)射極。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體器件，其中，該發(fā)射極區(qū)域和集電極區(qū)域沿水平方向形成，以及形成包含發(fā)射極區(qū)域并在集電極區(qū)域內(nèi)的基極區(qū)域。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體器件，其中，該第一導電類型的雜質(zhì)離子包括硼(B)。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導體器件，其中，該第二導電類型的雜質(zhì)離子包括磷(P)或砷(As)。