[發明專利]CMOS圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710147152.4
• 申請日: 2007-08-30
• 公開（公告）號: CN101136422A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 沈喜成
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146;H01L23/522;H01L21/82;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種CMOS圖像傳感器，用于將光信號轉換成電信號，其包括多個單位像素，其中每個單位像素包括：

光電二極管，位于有源區的一側上；

多個柵極，疊置在該有源區中；和

源極/漏極區域，位于所述多個柵極下面的區域的兩側，通過雜質注入來形成該源極/漏極區域；

其中所述多個柵極包括：轉移晶體管、復位晶體管、驅動晶體管和選擇晶體管，并且該驅動晶體管的多晶硅層從該復位晶體管與該選擇晶體管之間的區域延伸至該復位晶體管與該轉移晶體管之間的區域。

2.如權利要求1所述的CMOS圖像傳感器，其中該轉移晶體管將從該光電二極管產生的光電荷轉移至浮置擴散層，該驅動晶體管重置該浮置擴散層的電壓電平，該驅動晶體管用作源極跟隨器，以及該選擇晶體管執行切換操作，以輸出像素數據。

3.一種CMOS圖像傳感器的制造方法，該CMOS圖像傳感器具有多個單位像素，該方法包括以下步驟：

形成器件隔離層，以在襯底中限定有源層；

在該襯底上形成多晶硅層；

在該多晶硅層的側壁上形成間隔件；

通過將該間隔件用作離子注入掩模，在通過以上步驟所形成的結構上進行離子注入工藝；

去除該間隔件；

在該多晶硅層上沉積氧化物層；

蝕刻該氧化物層，以形成接觸孔；和

在該接觸孔中沉積金屬，以形成接觸塞。

4.如權利要求3所述的方法，其中由該多晶硅層形成的柵極是復位晶體管。

5.如權利要求3所述的方法，其中所述去除該間隔件的步驟包括以下步驟：

在該多晶硅層上涂覆光致抗蝕劑層；和

通過將該光致抗蝕劑層用作蝕刻掩模來執行選擇性蝕刻工藝。