[發明專利]驅動攝像元件的驅動裝置有效
| 申請號: | 200710146977.4 | 申請日: | 2004-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN101115127A | 公開(公告)日: | 2008-01-30 |
| 發明(設計)人: | 山本真嗣;藤井俊哉;豬熊一行;蓮香剛;永吉良一;板倉啟二郎;清水泉 | 申請(專利權)人: | 松下電器產業株式會社 |
| 主分類號: | H04N3/15 | 分類號: | H04N3/15 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 浦柏明;劉宗杰 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 驅動 攝像 元件 裝置 | ||
1.一種驅動裝置,使用混合模式來驅動具有多個與曝光量對應地生成電荷的像素單元的攝像元件,該混合模式通過將規定數的、在像素單元中生成的電荷讀出到該攝像元件的暫時保持區域中而使其相加,其特征在于:
具有設定裝置,在將各像素單元中生成的電荷讀出到所述暫時保持區域的讀出期間,將作為各像素單元能積蓄的電荷的上限的飽和量設定得比使用個別模式時少,該個別模式個別讀出在各像素單元中生成的電荷。
2.如權利要求1的驅動裝置,其特征在于:
所述設定裝置進而在與各像素單元的光接收量對應地生成電荷的積蓄期間,與使用所述個別模式的情形同樣地設定所述飽和量。
3.如權利要求2的驅動裝置,其特征在于:
所述設定裝置設定所述飽和量使相加后的電荷不超過所述暫時保持區域中的最大保持量。
4.如權利要求3的驅動裝置,其特征在于:
所述設定裝置將所述飽和量設定為使用個別模式時的飽和量與所述規定數的倒數相乘所得到的量。
5.如權利要求1的驅動裝置,其特征在于:
所述像素單元在半導體襯底上形成,具有當電荷超過所述飽和量使多余生成的電荷排出到所述半導體襯底的溢漏結構,
所述飽和量設定為供給所述半導體襯底的襯底電壓越高而其越少,
所述設定裝置使供給所述半導體襯底的襯底電壓比使用所述個別模式時的襯底電壓高。
6.一種驅動方法,使用混合模式來驅動具有多個與曝光量對應地生成電荷的像素單元的攝像元件,該混合模式通過將規定數的、在像素單元中生成的電荷讀出到該攝像元件的暫時保持區域中而使其相加,其特征在于,
包含設定步驟,在將各像素單元生成的電荷讀出到所述暫時保持區域的讀出期間,將作為各像素單元能積蓄的電荷的上限的飽和量設定得比使用個別模式時少,該個別模式個別讀出各像素單元中生成的電荷。
7.如權利要求6的驅動方法,其特征在于:
所述設定步驟進而在與各像素單元的光接收量對應地生成電荷的積蓄期間,和使用所述個別模式的情形同樣地設定所述飽和量。
8.如權利要求7的驅動方法,其特征在于:
在所述設定步驟中,設定所述飽和量使相加后的電荷不超過所述暫時保持區域中的最大保持量。
9.如權利要求8的驅動方法,其特征在于:
在所述設定步驟中,將所述飽和量設定為使用個別模式時的飽和量與所述規定數的倒數相乘所得到的量。
10.如權利要求6的驅動方法,其特征在于:
所述像素單元在半導體襯底上形成,具有當電荷超過所述飽和量使多余生成的電荷排出到所述半導體襯底的溢漏結構,
所述飽和量設定為供給所述半導體襯底的襯底電壓越高而其越少,
所述設定步驟使供給所述半導體襯底的襯底電壓比使用所述個別模式時的襯底電壓高。
11.一種攝像裝置,與曝光量對應地對每多個像素單元生成電荷并根據所述每多個像素單元的電荷生成圖像數據,其特征在于,包括:
具有所述多個像素單元的攝像元件;
驅動裝置,使用個別模式和混合模式中的某一個讀出模式驅動所述攝像元件,所述個別模式個別讀出所述多個像素單元中生成的電荷,所述混合模式將所述多個像素單元中規定數的像素單元中生成的電荷相加并讀出;
信號處理部,與使用某一個讀出模式從所述攝像元件中讀出的電荷對應地生成圖像數據;以及
控制部,與輸入信號對應地選擇所述驅動裝置中的所述個別模式和所述混合模式,
這里,所述驅動裝置包含設定裝置,在將所述多個像素單元中生成的電荷讀出到暫時保持區域的讀出期間,與使用所述個別模式的情形相比較,使用所述混合模式時,將作為各像素單元能積蓄的電荷的上限的飽和量設定得少一些。
12.如權利要求11的攝像裝置,其特征在于:
所述設定裝置進而在與各像素單元的光接收量對應地生成電荷的積蓄期間,與使用所述個別模式的情形同樣地設定所述飽和量。
13.如權利要求12的攝像裝置,其特征在于:
所述設定裝置設定所述飽和量使相加后的電荷不超過所述暫時保持區域中的最大保持量。
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