[發明專利]抗蝕覆蓋膜形成材料、抗蝕圖案形成方法、電子器件及其制造方法

有效

• 申請號: 200710146875.2
• 申請日: 2007-08-24
• 公開（公告）號: CN101135849A
• 公開（公告）日: 2008-03-05
• 發明（設計）人: 小澤美和;野崎耕司;并木崇久
• 申請（專利權）人: 富士通株式會社
• 主分類號: G03F7/004
• 分類號: G03F7/004;G03F7/11;G03F7/20;H01L21/027
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 高龍鑫

1.一種材料，其包括：

由通式(1)表示的具有至少一個堿溶性基團的含硅聚合物，和

可以溶解所述含硅聚合物的有機溶劑，

(SiO_4/2)_a(R1_tSiO_(4-t)/2)_b(O_1/2R2)_c

通式(1)

其中R¹代表單價有機基團、氫原子和羥基中的至少一個，R²代表單價有機基團和氫原子中的至少一個(其中R¹和R²可以各自出現兩次或以上，且R¹和R²中至少一個含有堿溶性基團)，“t”代表1～3的整數，“a”、“b”和“c”代表其單元的相對比例(其中a≥0、b≥0、c≥0，且“a”、“b”和“c”不同時為0)，且(R¹_tSiO_(4-t)/2)_b可以出現兩次或以上。

2.根據權利要求1所述的材料，其中所述堿溶性基團是含羧酸的基團。

3.根據權利要求1所述的材料，其中所述堿溶性基團是由通式(3)表示的部分

CH₂_mCOOH

通式(3)

其中“m”滿足0≤m≤5。

4.根據權利要求1所述的材料，其中所述有機溶劑是具有3個或以上碳原子的脂肪族烷醇。

5.根據權利要求1所述的材料，其中所述含硅聚合物由通式(2)表示：

通式(2)

其中“a”、“b”、“b′”和“c”代表其單元的相對比例，且a＞0、b＞0、b′＞0和c≥0。

6.制造電子器件的方法，其包括：

在工件表面形成抗蝕膜，

使用抗蝕覆蓋膜形成材料在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜，

通過液浸曝光，使曝光光源透過抗蝕覆蓋膜照射抗蝕膜，

使抗蝕膜顯影形成抗蝕圖案，

通過使用抗蝕圖案作為掩模進行蝕刻使工件表面圖案化，

其中抗蝕覆蓋膜形成材料包括：由通式(1)表示的具有至少一個堿溶性基團的含硅聚合物和可以溶解所述含硅聚合物的有機溶劑，其中，所述抗蝕覆蓋膜形成材料用于形成在抗蝕膜進行液浸曝光時覆蓋抗蝕膜的抗蝕覆蓋膜，

(SiO_4/2)_a(R1_tSiO_(4-t)/2)_b(O_1/2R2)_c

通式(1)

其中R¹代表單價有機基團、氫原子和羥基中的至少一個，R²代表單價有機基團和氫原子中的至少一個(其中R¹和R²可以各自出現兩次或以上，且R¹和R²中至少一個含有堿溶性基團)，“t”代表1～3的整數，“a”、“b”和“c”代表其單元的相對比例(其中a≥0，b≥0且c≥0，且“a”、“b”和“c”不同時為0)，且(R¹_tSiO_(4-t)/2)_b可以出現兩次或以上。

7.根據權利要求6所述的制造電子器件的方法，其中所述抗蝕覆蓋膜的厚度為10nm～300nm。

8.根據權利要求6所述的制造電子器件的方法，其中所述抗蝕覆蓋膜通過涂覆形成。

9.根據權利要求6所述的制造電子器件的方法，其中所述顯影是使用堿性顯影劑進行的。

10.根據權利要求6所述的制造電子器件的方法，其中所述液浸曝光中使用的液體的折射率大于1。

11.根據權利要求10所述的制造電子器件的方法，其中所述液體為水。