[發(fā)明專利]隨機(jī)數(shù)生成電路無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710146847.0 | 申請日： | 2007-08-24 |
| 公開（公告）號： | CN101132171A | 公開（公告）日： | 2008-02-27 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 佐藤豐 | 申請（專利權(quán)）人： | 精工電子有限公司 |
| 主分類號： | H03K3/84 | 分類號： | H03K3/84;G06F7/58 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;劉宗杰 |
| 地址： | 日本千葉*** | 國省代碼： | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 隨機(jī)數(shù) 生成 電路 | ||
1.一種隨機(jī)數(shù)生成電路，包括：
參考電壓部分，包括：
第一P溝道MOS晶體管，其具有與電源連接的源極以及彼此連接的柵極和漏極；和
第一N溝道MOS晶體管，其具有接地的源極以及彼此連接的柵極和漏極，漏極與第一P溝道MOS晶體管的漏極連接；
反相放大器部分，包括：
第二P溝道MOS晶體管，其具有與電源連接的源極；和
第二N溝道MOS晶體管，其具有接地的源極、與第二P溝道MOS晶體管的柵極連接的柵極、和與第二P溝道MOS晶體管的漏極連接的漏極；和
半導(dǎo)體開關(guān)，其第一端與第一P溝道MOS晶體管的漏極連接，并且第二端與第二P溝道MOS晶體管的柵極連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的隨機(jī)數(shù)生成電路，其中參考電壓部分具有與反相放大器部分的邏輯閾值電壓相等的參考電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的隨機(jī)數(shù)生成電路，其中：
第一P溝道MOS晶體管和第二P溝道MOS晶體管具有彼此相等的晶體管大小；并且
第一N溝道MOS晶體管和第二N溝道MOS晶體管具有彼此相等的晶體管大小。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的隨機(jī)數(shù)生成電路，其中半導(dǎo)體開關(guān)包括傳輸門，該傳輸門包括MOS晶體管。
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