[發明專利]制備氧化硅粉末的方法有效
| 申請號： | 200710146443.1 | 申請日： | 2007-04-24 |
| 公開（公告）號： | CN101139095A | 公開（公告）日： | 2008-03-12 |
| 發明（設計）人： | 福岡宏文;荒又干夫;宮脇悟 | 申請（專利權）人： | 信越化學工業株式會社 |
| 主分類號： | C01B33/113 | 分類號： | C01B33/113;C01B33/18;H01M4/48 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人： | 任宗華 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 制備 氧化 粉末 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種制備氧化硅粉末的方法，包括步驟：在惰性氣體或低壓下將二氧化硅粉末和金屬硅粉末的粉末混合物加熱至1100到1450℃以生成一氧化硅氣體，并將一氧化硅氣體沉積在基底表面上制得氧化硅粉末，其中二氧化硅粉末具有至多1μm的平均粒徑，且金屬硅粉末具有30μm的平均粒徑。
2.根據權利要求1所述的制備氧化硅粉末的方法，其中以1＜金屬硅粉末/二氧化硅粉末＜1.1的摩爾比混合二氧化硅粉末和金屬硅粉末。
3.根據權利要求1所述的制備二氧化硅粉末的方法，其中二氧化硅粉末和金屬硅粉末的粉末混合物的反應在至多100Pa的低壓下和1300到1420℃的溫度范圍內進行。
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