[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710143733.0
• 申請(qǐng)日: 2007-08-02
• 公開（公告）號(hào): CN101359662A
• 公開（公告）日: 2009-02-04
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曹榮志;王喻生;陳科維;王英郎
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/02
• 分類號(hào): H01L27/02
• 代理公司: 隆天國(guó)際知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

一基底；

一位于該基底上的第一金屬層；

一位于該第一金屬層上的介電層；以及

一位于該介電層上的第二金屬層，其中該第一金屬層具有：

一第一體心立方晶格金屬層；

一第一氮化物層，其位于該第一體心立方晶格金屬層的下方，該第一氮化物層為該第一體心立方晶格金屬層的組成的氮化物；及

一體心立方晶格的第一界面，其位于該第一體心立方晶格金屬層與該第一氮化物層之間。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是該第二金屬層包含：

一第二體心立方晶格金屬層；

一第二氮化物層，其位于該第二體心立方晶格金屬層的下方，該第二氮化物層為該第二體心立方晶格金屬層的組成的氮化物；以及

一體心立方晶格的第二界面，其位于該第二體心立方晶格金屬層與該第二氮化物層之間。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是該第一金屬層與該第二金屬層分別選自由下列金屬所組成的族群：鈮、鉭、鉈、與上述三種金屬的組合。

4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是：

該第一氮化物層與該第二氮化物層均為氮化鉭層；

該第一體心立方晶格金屬層與該第二體心立方晶格金屬層均為含鉭層；以及

該第一界面與該第二界面均為TaN_x，其中x值為0.1。

5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是該第一金屬層還包含：

一鋁銅合金層，其位于該第一氮化物層的下方；

一第三體心立方晶格金屬層，其位于該鋁銅合金層的下方；

一第三氮化物層，其位于該第三體心立方晶格金屬層的下方，該第三氮化物層為該第三體心立方晶格金屬層的組成的氮化物；以及

一體心立方晶格的第三界面，其位于該第三體心立方晶格金屬層與該第三氮化物層之間。

6.如權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是：

該第一氮化物層、該第二氮化物層、與第三氮化物層均為氮化鉭層；

該第一體心立方晶格金屬層、該第二體心立方晶格金屬層、與該第三體心立方晶格金屬層均為含鉭層；以及

該第一界面、該第二界面、與該第三界面均為TaN_x，其中x值為0.1。

7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是所述含鉭層均為TaN_a，其中a值小于0.5。

8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征是所述含鉭層均為TaN_b，其中b值小于0.5。