[發明專利]半導體裝置與快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器有效
| 申請號： | 200710143732.6 | 申請日： | 2007-08-02 |
| 公開（公告）號： | CN101266998A | 公開（公告）日： | 2008-09-17 |
| 發明（設計）人： | 李自強 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/423 | 分類號： | H01L29/423;H01L29/792;H01L27/115 |
| 代理公司： | 隆天國際知識產權代理有限公司 | 代理人： | 陳晨 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 閃電 子式可 擦除 可編程 只讀存儲器 | ||
1.一種半導體裝置，包含：
基底；
第一柵極，位于該基底上；
第二柵極，位于該第一柵極的上表面上，該第二柵極具有延伸至該基底旁的空間與該第一柵極的側壁旁的多個端部；以及
介電層，具有：
第一部分，夾在該第一柵極與該第二柵極之間；以及
多個第二部分，延伸自該第一部分，夾在該基底與該第二柵極的端部之間；以及
多個第三部分，延伸自該多個第二部分，且圍繞該第二柵極的該多個端部的側壁。
2.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該介電層為復合材料的介電層，其還包含：
隧穿層；
電荷捕獲層，位于該隧穿層上；以及
阻擋層，位于該電荷捕獲層上。
3.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該介電層為復合材料的介電層，其還至少包含二氧化物層與夾在其間的氮化物層。
4.如權利要求1所述的半導體裝置，其中該半導體裝置還包含多個存儲單元，且該第一柵極的柵極寬度介于所述存儲單元的間距的六分之一至三分之一之間。
5.一種快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器，包含：
基底；
第一柵極，位于該基底上；
第二柵極，位于該第一柵極的上表面上，該第二柵極包含一對端部，延伸至該基底旁的空間與該第一柵極的側壁旁；以及
介電層，具有
第一部分，夾在該第一柵極與該第二柵極之間；以及
一對第二部分，延伸自該第一部分，夾在該基底與該第二柵極的該對端部之間；以及
一對第三部分，延伸自該對第二部分，且圍繞該第二柵極的該對端部的側壁。
6.如權利要求5所述的快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器，其中該介電層為復合材料的介電層，其還包含：
隧穿層；
電荷捕獲層，位于該隧穿層上；以及
阻擋層，位于該電荷捕獲層上。
7.如權利要求5所述的快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器，其中該介電層為復合材料的介電層，其還至少包含二氧化物層與夾在其間的氮化物層。
8.如權利要求5所述的快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器，其中該快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器還包含多個存儲單元，且該第一柵極的柵極寬度介于所述存儲單元的間距的六分之一至三分之一之間。
9.一種雙位快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器，包含：
基底；
助柵極，位于該基底上；
控制柵極，位于該助柵極的上表面上，該控制柵極包含延伸至該基底旁的空間與該助柵極的側壁旁的一對端部；以及
介電層，具有：
第一部分，夾在該助柵極與該控制柵極之間；及
一對第二部分，延伸自該第一部分，夾在該基底與該控制柵極的該對端部之間，以提供雙位的存儲；以及
一對第三部分，延伸自該對第二部分，且圍繞該控制柵極的該對端部的側壁。
10.如權利要求9所述的雙位快閃電子式可擦除可編程只讀存儲器，其中該介電層為復合材料的介電層，其還包含：
隧穿層；
電荷捕獲層，位于該隧穿層上；以及
阻擋層，位于該電荷捕獲層上。
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