[發(fā)明專利]加熱塊及利用其的引線鍵合方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710143605.6 | 申請日: | 2007-08-14 |
| 公開(公告)號: | CN101369545A | 公開(公告)日: | 2009-02-18 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳強;劉一波 | 申請(專利權(quán))人: | 三星電子株式會社;三星半導體(中國)研究開發(fā)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 郭鴻禧;劉奕晴 |
| 地址: | 韓國京畿道*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 加熱 利用 引線 方法 | ||
1.一種用于引線鍵合工藝的加熱塊,包括:
加熱孔,形成在加熱塊的中心部分,用于對所要鍵合的引線框架進行加熱;
真空吸孔,對應于引線框架的引腳部分分布在加熱孔的周圍,并貫穿整個加熱塊,用于吸附引線框架的引腳部分,
其中,在加熱塊的上表面上形成有第一凸臺和第二凸臺,第一凸臺形成在加熱塊的中心部分,用于支撐將被貼合的芯片,第二凸臺形成在第一凸臺的周圍,用于支撐引線框架,
其中,所述加熱孔形成在第一凸臺上,所述真空吸孔形成在第二凸臺上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱塊,其中所述加熱塊的背面設置有真空部分,所述真空部分與真空吸孔連通,用于使真空吸孔處于真空狀態(tài)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱塊,其中,所述真空部分的背面設置有真空泵接口,用于與真空泵連接,以使真空部分和真空吸孔處于真空狀態(tài)。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的加熱塊,其中,所述真空部分呈環(huán)狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱塊,其中,所述真空吸孔呈放射狀分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的加熱塊,其中,所述真空吸孔的布局由引線框架的引腳部分的布局確定。
7.一種引線鍵合的方法,包括的步驟有:
確認引線框架的引腳部分與加熱塊的真空吸孔重合;
將壓板下壓,固定引線框架;
利用加熱塊的真空吸孔吸附引線框架的引腳部分;
執(zhí)行打線過程;
釋放引線框架的引腳部分,
其中,在加熱塊的上表面上形成有第一凸臺和第二凸臺,第一凸臺形成在加熱塊的中心部分,用于支撐將被貼合的芯片,第二凸臺形成在第一凸臺的周圍,用于支撐引線框架,所述真空吸孔形成在第二凸臺上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,其中,所述加熱塊的背面設置有真空部分,所述真空部分與真空吸孔連通,用于使真空吸孔處于真空狀態(tài)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引線鍵合的方法,其中,所述真空部分的背面設置有真空泵接口,用于與真空泵連接,以使真空部分和真空吸孔處于真空狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的引線鍵合的方法,其中,利用加熱塊的真空吸孔吸附引線框架的引腳部分的步驟包括打開真空泵,使真空吸孔處于真空狀態(tài)來吸附引線框架的引腳部分。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的引線鍵合的方法,其中,釋放引線框架的引腳部分的步驟包括關閉真空泵,去除真空吸孔的真空狀態(tài),從而釋放引線框架的引腳部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,還包括:在釋放引線框架的引腳部分之后,松開壓板,去除對引線框架的固定。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的引線鍵合的方法,還包括:在松開壓板之后,將引線框架載入到引線框架盒中。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,還包括:在確認引線框架的引腳部分與加熱塊的真空吸孔重合的步驟之前,將引線框架從引線框架盒載入至芯片鍵合區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,其中,確認引線框架的引腳部分與加熱塊的真空吸孔重合的步驟包括確認引線框架的引腳部分與加熱塊的真空吸孔是否重合,如果重合,則將壓板下壓;如果不重合,則繼續(xù)調(diào)整位置直到重合為止。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,其中,所述真空吸孔呈放射狀分布。
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,其中,所述真空吸孔的布局由引線框架的引腳部分的布局確定。
18.根據(jù)權(quán)利要求8所述的引線鍵合的方法,其中,所述真空部分呈環(huán)狀。
19.根據(jù)權(quán)利要求7所述的引線鍵合的方法,其中,所述引線鍵合過程利用金屬線進行鍵合。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的引線鍵合的方法,其中,所述金屬線為金線。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





