[發明專利]彈性凸塊表面金屬膜成型制程無效
| 申請號: | 200710143469.0 | 申請日: | 2007-08-01 |
| 公開(公告)號: | CN101359607A | 公開(公告)日: | 2009-02-04 |
| 發明(設計)人: | 陸頌屏;黃崑永 | 申請(專利權)人: | 福葆電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京申翔知識產權代理有限公司 | 代理人: | 周春發 |
| 地址: | 臺灣省新竹市科學工*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彈性 表面 金屬膜 成型 | ||
1、一種彈性凸塊表面金屬膜成型制程,依序包含有下列步驟:
a、在集成電路組件的表面形成有與焊墊相對應配置的彈性座體;
b、將光阻劑利用涂布、曝光、顯影制程,于彈性座體周邊形成光阻圖案;
c、利用物理氣相沉積技術在彈性座體及其周邊的光阻圖案上形成至少一層導電層,并使該導電層得以連接焊墊以及彈性座體;
d、最后利用光阻剝離劑將光阻圖案連同覆蓋在光阻圖案上的導電層去除。
2、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中該光阻圖案是經過涂布、曝光及顯影制程參數的調整而呈倒梯形。
3、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中該彈性座體的材質為一種電性絕緣并具有高彈性的高分子有機物,而該彈性座體的材質可以為聚亞醯胺、苯環丁烯、聚丙烯酸脂、橡膠或硅膠。
4、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中導電層材料可包含鈦鎢合金、鈦、鎳、鉻或其合金及銅、金。
5、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中各該彈性座體形成在焊墊上。
6、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中各該彈性座體形成在焊墊外圍的護層上。
7、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中各該彈性座體形成在焊墊與護層之間。
8、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中該光阻圖案可視導電需求位于該彈性座體之間。
9、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中該導電層包含底層黏著層及表層導電層。
10、如權利要求1所述的彈性凸塊表面金屬膜成型制程,其中該光阻劑為可舉離式光阻劑。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于福葆電子股份有限公司,未經福葆電子股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/200710143469.0/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:瀝青水泥砂漿車
- 下一篇:半導體元件埋入承載板的結構及其制法
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





