[發明專利]使用等離子體處理基材的設備和方法

有效

• 申請號: 200710143412.0
• 申請日: 2007-07-31
• 公開（公告）號: CN101316473A
• 公開（公告）日: 2008-12-03
• 發明（設計）人: 申泰浩
• 申請（專利權）人: 細美事有限公司
• 主分類號: H05H1/00
• 分類號: H05H1/00;H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 梁興龍;武玉琴

1.一種使用等離子體的基材處理方法，包括：

在殼體內部提供基材；以及

由供應至所述殼體中的氣體產生等離子體，以處理所述基材，

其中在處理過程中以脈沖形式施加用于產生等離子體的電力，并將 磁場提供至在所述殼體內部產生等離子體的區域，其中，將用于提供所 述磁場的多層磁體單元配置成上下排列，且相鄰磁體單元配置成從它們 的對齊位置旋轉預定角度。

2.如權利要求1所述的基材處理方法，其中所述產生等離子體通過 電容耦合的等離子體進行。

3.如權利要求1所述的基材處理方法，其中被以脈沖形式施加電力 的電極置于所述殼體內的基材上方。

4.如權利要求3所述的基材處理方法，其中被施加偏置電壓的電極 置于所述殼體內的基材下方。

5.如權利要求1所述的基材處理方法，其中施加電力包括將第一強 度功率施加第一時間的第一步驟和將低于所述第一強度功率的第二強度 功率施加第二時間的第二步驟，并且重復所述第一步驟和所述第二步驟 作為一次循環。

6.如權利要求5所述的基材處理方法，其中所述第一時間和所述第 二時間相等。

7.如權利要求5所述的基材處理方法，其中所述第二強度為0。

8.如權利要求1所述的基材處理方法，其中處理所述基材是蝕刻晶 片上的氧化物層的過程。

9.一種基材處理方法，包括：

使用等離子體處理基材，

其中在連續施加用于產生等離子體的電力時，測量所述基材各區域 的蝕刻速率，

其中基于測量結果，設置在進行處理的殼體外部配置的磁體提供的 磁場方向，以及

其中在設置的方向提供磁場的同時，在處理過程中以脈沖形式施加 用于產生等離子體的電力，其中，將用于提供所述磁場的多層磁體單元 配置成上下排列，且相鄰磁體單元配置成從它們的對齊位置旋轉預定角 度。

10.如權利要求9所述的基材處理方法，其中通過電容耦合的等離 子體源產生等離子體。

11.如權利要求9所述的基材處理方法，其中以脈沖形式供應電力 包括將第一強度功率施加第一時間的第一步驟和將中止電源第二時間的 第二步驟，并且重復所述第一步驟和所述第二步驟作為一次循環。

12.一種基材處理設備，其包括：

殼體，其中設置有用于容納基材的空間；

支撐件，置于所述殼體內用于支撐所述基材；

氣體供應件，用于將氣體供應進所述殼體中；

等離子體源，用于從供應進所述殼體中的氣體產生等離子體；以及

磁場形成件，用于在所述殼體內產生等離子體的區域中形成磁場，

其中所述等離子體源包括：

置于所述殼體內上部的第一電極；

置于所述殼體內下部的第二電極；

用于將電力供應到所述第一電極的電源單元；以及

源控制器，用于控制所述電源單元，在處理過程中以脈沖形式將供 應的電力提供到所述第一電極，其中，將用于提供所述磁場的多層磁體 單元配置成上下排列，且相鄰磁體單元配置成從它們的對齊位置旋轉預 定角度。

13.如權利要求12所述的基材處理設備，其中所述源控制器控制所 述電源單元，重復將第一強度功率施加到所述第一電極上第一時間的第 一步驟和中止施加到所述第一電極上的功率第二時間的第二步驟。

14.如權利要求12所述的基材處理設備，其中所述磁場形成件包括 配置成包圍所述殼體圓周的多個磁體，并且所述磁體配置成將所述各磁 體提供的磁場的方向指向所述殼體內部。

15.如權利要求12所述的基材處理設備，其中所述磁場形成件包括 配置成包圍所述殼體圓周的多個磁體，并且所述磁體配置成將所述各磁 體提供的磁場的方向指向所述殼體外部。