[發(fā)明專利]用于改進嵌入式電容器公差的印刷電路板及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710143251.5
• 申請日: 2007-08-07
• 公開（公告）號: CN101257771A
• 公開（公告）日: 2008-09-03
• 發(fā)明（設計）人: 金泰義;閔炳烈;姜明杉;柳濟光
• 申請（專利權）人: 三星電機株式會社
• 主分類號: H05K3/32
• 分類號: H05K3/32;H05K1/16
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司
• 代理人: 章社杲;吳貴明

相關申請交叉參考

本發(fā)明要求于2007年3月2日提交的、題為“用于改進嵌入式電容器的公差(tolerance)的印刷電路板及其制造工藝”的第10-2007-0020958號韓國專利申請的權益，其全部相關內(nèi)容結合于此以供參考。

技術領域

通常，本發(fā)明涉及一種用于改進嵌入式(埋入式)電容器的公差的印刷電路板(PCB)及其制造方法。更具體地，本發(fā)明涉及包括嵌入式電容器的PCB及其制造方法，所述PCB在由蝕刻工藝造成的公差方面被最小化，從而能被應用到用于RF匹配的電容器。

背景技術

近來，在包括便攜式電子器件的電子產(chǎn)品中，用戶的各種需求不斷增加。尤其，為了使產(chǎn)品功能多樣化、減少產(chǎn)品的尺寸和重量、提高其速度、降低產(chǎn)品價格、增加攜帶的方便性、隨時獲得無線網(wǎng)絡服務、以及為了滿足用戶的設計要求，開發(fā)者、設計者、和制造者已經(jīng)對這些產(chǎn)品進行了全面研究。

隨著產(chǎn)品功能變得多樣化，無源部件數(shù)量與IC數(shù)量成比例地增加，便攜終端的尺寸增加。通常，電子器件具有安裝在電路基板表面上的多個有源部件和無源部件。而且，許多無源部件以分立片形電容器的形式安裝在基板的表面上，以便有效地實現(xiàn)有源部件之間的信號傳輸。

根據(jù)電子系統(tǒng)的高密度安裝需求，許多相關公司已開發(fā)出嵌入式PCB。嵌入在基板內(nèi)的無源部件的實例包括電阻R、電感L、和電容器C。嵌入式部件依據(jù)其尺寸和類型可被分類成傳統(tǒng)的無源部件、薄無源部件、通過印刷或濺射獲得的薄膜元件、和鍍覆元件。但是，分立片形電容器(即，無源元件)在促進制造輕、細、短和小的電子部件的趨勢方面具有局限性，并且還具有空間利用問題和增加制造成本方面的缺點。

因此，對將無源部件嵌入到基板中的方法和類型進行了深入且廣泛的研究。而且，已經(jīng)持續(xù)不斷地嘗試制造輕、細、短和小的電子系統(tǒng)。在嵌入于基板中的無源部件中，主要是薄膜型(15～25μm厚)電容器被嵌入于基板中。薄膜型電容器在基板中的嵌入是通過使用輥涂(roll?coating)、濺射、或者板層壓(sheet?lamination)技術的工藝而實現(xiàn)的。尤其是，板層壓技術在降低厚度誤差和費用方面效率較高。

就該方面，將參照圖2A至2F描述根據(jù)傳統(tǒng)技術的制造具有嵌入式電容器的PCB的工藝。

首先，制備PCB?10，在該PCB中，樹脂絕緣層12被層壓在內(nèi)層11上，該樹脂絕緣層具有形成在其任一表面上的金屬層13，諸如銅，例如，RCC(樹脂覆膜銅)(圖2A)。盡管圖中未示出，但是，PCB?10的內(nèi)層11的電路圖案通過過孔被電連接至外層的電路圖案。

接著，使用諸如干膜(dry?film)的光刻膠(未示出)，進行典型的曝光/顯影和蝕刻以便去除金屬層13不需要的部分，從而形成具有下部電極14和電路圖案15的電路層(圖2B)。

然后，用絕緣樹脂16通過典型的平坦涂覆工藝填充電路圖案14和15之間的空間，以使電路圖案14和15變平(圖2C)。同樣地，額外進行平坦涂覆工藝的原因是：在后續(xù)工藝中被層壓的介電板是含有分散于其中的陶瓷粉末的介電層，從而幾乎沒有可流動性，因此在層壓時，該介電層不能被填充在電路圖案之間的空間內(nèi)。

接著，對包括介電層21和金屬層22(諸如銅)的單面介電板20進行層壓，所述金屬層形成在介電層的一個表面上(圖2D)。使用諸如干膜的光刻膠(未示出)，進行典型的曝光/顯影和蝕刻以便去除金屬層22不需要的部分，從而形成具有上部電極23和電路圖案24、25的電路層。而且，形成用于電連接具有上部電極23和下部電極14的層間電路的過孔，從而完成電容器C1(圖2E)。

最后，對具有形成在其表面上的金屬層的樹脂絕緣層17通過增層(build-up)工藝進行層壓，然后圖案化，從而形成外部電路圖案18(圖2F)。

但是，上述傳統(tǒng)工藝的不利之處在于，因為包括上部和下部電極的電路圖案通過用于減成工藝的曝光/顯影和蝕刻而形成，從而電路的公差的變化因蝕刻工藝而增加。最終，具有通過傳統(tǒng)工藝形成的嵌入式電容器的PCB難以被應用于用于RF匹配的電容器，此外，還額外地需要平坦涂覆工藝。

發(fā)明內(nèi)容

為了克服現(xiàn)有技術中遇到的問題而提出了本發(fā)明，發(fā)明人對具有嵌入式電容器進行了深入而廣泛的研究，結果發(fā)現(xiàn)當使用新工藝將電容器嵌入于基板中時，電容器容量的偏差可以被明顯降低，所述新工藝包括通過加成工藝形成包括下部電極的電路層，然后將該電路層層壓到絕緣層上。