[發(fā)明專利]半導體存儲器件及其制造方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710142417.1
• 申請日: 2007-08-22
• 公開（公告）號: CN101132051A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設計）人: 早川努
• 申請（專利權）人: 爾必達存儲器股份有限公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00;H01L27/24;G11C11/56
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 孫紀泉

1.一種半導體存儲器件，包括：

加熱電極；

在第一方向上與加熱電極相連的相變部分；和

具有上表面、下表面和孔的上電極，所述孔在上表面和下表面之間沿第一方向穿透該上電極，所述孔具有內(nèi)壁，所述內(nèi)壁在垂直于第一方向的第二方向上與相變部分相連。

2.根據(jù)權利要求1的半導體存儲器件，其中在垂直于第一方向的平面內(nèi)，所述上電極完全環(huán)繞相變部分并與相變部分相連。

3.根據(jù)權利要求1的半導體存儲器件，其中，沿預定方向看，所述孔覆蓋加熱電極。

4.根據(jù)權利要求1的半導體存儲器件，其中所述相變部分沿第一方向延伸經(jīng)過下表面并到達上表面。

5.根據(jù)權利要求4的半導體存儲器件，其中所述相變部分沿第一方向進一步延伸經(jīng)過上電極的上表面。

6.根據(jù)權利要求1的半導體存儲器件，其中所述相變部分具有頂面、底面和側面，底面與加熱電極相連，側面連接在底面和頂面之間，并與上電極相連。

7.根據(jù)權利要求6的半導體存儲器件，其中所述上電極只在相變部分的側面上與相變部分連接。

8.根據(jù)權利要求6的半導體存儲器件，其中，所述頂面具有類似閉環(huán)的形狀，并具有內(nèi)緣，相變部分進一步包括凹部，所述凹部從頂面的內(nèi)緣向下凹陷。

9.根據(jù)權利要求8的半導體存儲器件，進一步包括在凹部中由絕熱材料形成的絕熱部。

10.根據(jù)權利要求9的半導體存儲器件，其中，所述絕熱部包括兩個或多個絕熱層。

11.根據(jù)權利要求1的半導體存儲器件，其中，所述加熱電極包括兩個或多個加熱柱，至少兩個加熱柱與相變部分相連。

12.根據(jù)權利要求1的半導體存儲器件，包括兩個或多個相變部分，其中，所述上電極沿第二方向延伸，并形成有兩個或多個穿透孔，所述相變部分分別形成于穿透孔中并與穿透孔相連。

13.一種制造半導體存儲器件的方法，所述方法包括：

在第一絕緣體中形成加熱電極；

在第一絕緣體和加熱電極上形成第二絕緣體；

在第二絕緣體上沉積電極材料；

形成穿透所沉積的電極材料和第二絕緣體的孔，所穿透的電極材料構成上電極，加熱電極被暴露在孔中；和

在所述孔中形成相變部分，相變部分在預定方向上與加熱電極相連，并在垂直于預定方向的平面內(nèi)與上電極相連。

14.根據(jù)權利要求13的方法，進一步包括：在形成孔之前在所沉積的電極材料上形成第三絕緣體，所述孔的形成使得所述孔也穿透第三絕緣體，形成相變部分的步驟包括：

在所述孔和所穿透的第三絕緣體上沉積相變材料；和

部分去除所沉積的相變材料，以在孔中形成相變部分。

15.根據(jù)權利要求14的方法，其中，使用所穿透的第三絕緣體作為阻止物，通過化學機械拋光處理，實施相變材料的去除。

16.根據(jù)權利要求14的方法，其中，實施相變材料的沉積，以使所沉積的相變材料具有凹部。

17.根據(jù)權利要求16的方法，其中，形成相變部分的步驟還包括：在所沉積的相變材料上沉積絕熱材料，使用所穿透的第三絕緣體作為阻止物，通過化學機械拋光處理，實施相變材料的去除，以便也部分地去除所沉積的絕熱材料，并且在相變部分的凹部內(nèi)形成絕熱部。