[發明專利]用于拋光半導體晶片的方法及用該方法制造的半導體晶片

無效

• 申請號: 200710142352.0
• 申請日: 2007-08-22
• 公開（公告）號: CN101148025A
• 公開（公告）日: 2008-03-26
• 發明（設計）人: K·勒特格;V·杜奇克;L·米斯圖爾
• 申請（專利權）人: 硅電子股份公司
• 主分類號: B24B29/00
• 分類號: B24B29/00;H01L21/304
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司
• 代理人: 侯鳴慧

1.用于在上拋光盤與下拋光盤之間拋光半導體晶片的方法，其中，該半導體晶片在一個轉盤的空腔中在輸入拋光劑的情況下被雙面拋光，該方法包括：在第一拋光步驟中雙面拋光該半導體晶片，該雙面拋光以一個負的過量結束，其中，該過量是該第一拋光步驟之后該半導體晶片的厚度與該轉盤的厚度之間的差值；在第二拋光步驟中雙面拋光該半導體晶片，在該第二拋光步驟中從該半導體晶片的側面拋去小于1μm的材料。

2.根據權利要求1的方法，其特征在于：該第一拋光步驟以小于0μm至-4μm的負的過量結束。

3.根據權利要求1或權利要求2的方法，其特征在于：在該第二拋光步驟中從該半導體晶片的側面拋去0.2μm至小于1μm的材料。

4.根據權利要求1至3中一項的方法，其特征在于：在該第一拋光步驟之后測量該半導體晶片的凹度并且使在該第二拋光步驟中進行的拋光去除量與所測量的凹度相關。

5.半導體晶片，該半導體晶片用硅制成，該半導體晶片具有一個被拋光的正面及一個被拋光的背面，該半導體晶片具有通過小于100nm的SBIRmax值來表達的正面全局平整度，并且在一個邊緣區域中具有通過35nm或更小的PSFQR值來表達的正面局部平整度，其中，總是考慮2mm的邊緣排除量。

6.根據權利要求5的半導體晶片，其特征在于：該半導體晶片的直徑為200mm或300mm。