[發明專利]用于驅動發光二極管的方法及發光二極管

有效

• 申請號: 200710142015.1
• 申請日: 2007-08-13
• 公開（公告）號: CN101123292A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 琵琶剛志
• 申請（專利權）人: 索尼株式會社
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H05B37/02;G09G3/20;G09G3/32;G09G3/34;G09G3/36
• 代理公司: 北京東方億思知識產權代理有限責任公司
• 代理人: 董方源

1.一種用于驅動發光二極管的方法，所述發光二極管包括p型層、n型層和發光層，所述發光層被布置在所述p型層與所述n型層之間并且具有含銦量子阱結構，所述p型層、所述n型層和所述發光層中的每一個都包括具有纖鋅礦型結構的氮基III-V族化合物半導體晶體，所述發光層具有相對于c平面以0.25°至2°的角度傾斜的主表面，

所述方法包括用等于或者小于20A/cm²的范圍內的電流密度來調節所述發光二極管的亮度的步驟。

2.根據權利要求1所述的用于驅動發光二極管的方法，其中，所述發光層的主表面相對于所述c平面以0.3°至1°的角度傾斜。

3.根據權利要求1所述的用于驅動發光二極管的方法，其中，用等于或者小于10A/cm²的范圍內的電流密度來調節所述發光二極管的亮度。

4.根據權利要求1所述的用于驅動發光二極管的方法，其中，脈沖驅動被結合使用。

5.根據權利要求1所述的用于驅動發光二極管的方法，其中，所述發光二極管具有500至550nm的發射波長。

6.一種發光二極管，包括：

p型層；

n型層；以及

發光層，其被布置在所述p型層與所述n型層之間并且具有含銦量子阱結構；

其中，所述p型層、所述n型層和所述發光層中的每一個都包括具有纖鋅礦型結構的氮基III-V族化合物半導體晶體；并且

其中，所述發光層具有相對于c平面以0.3°至1°的角度傾斜的主表面。

7.一種用于驅動顯示器的方法，所述顯示器包括至少一個發光二極管，所述發光二極管包括p型層、n型層和發光層，所述發光層被布置在所述p型層與所述n型層之間并且具有含銦量子阱結構，所述p型層、所述n型層和所述發光層中的每一個都包括具有纖鋅礦型結構的氮基III-V族化合物半導體晶體，所述發光層具有相對于c平面以0.25°至2°的角度傾斜的主表面，

所述方法包括用等于或者小于20A/cm²的范圍內的電流密度來調節所述發光二極管的亮度的步驟。

8.根據權利要求7所述的用于驅動顯示器的方法，其中，通過用等于或者小于20A/cm²的范圍內的電流密度形成亮度信號的一部分來調節所述發光二極管的亮度。

9.根據權利要求7所述的用于驅動顯示器的方法，其中，所述顯示器是包括像素矩陣的發光二極管顯示器，其中每個像素包括所述發光二極管。

10.根據權利要求7所述的用于驅動顯示器的方法，其中，所述顯示器是包括背光和液晶面板的透射式或半透射式液晶顯示器，所述背光包括所述至少一個發光二極管。

11.根據權利要求7所述的用于驅動顯示器的方法，其中，所述顯示器是包括光源和光閥的投影顯示器，所述光源包括所述至少一個發光二極管。

12.根據權利要求11所述的用于驅動顯示器的方法，其中，所述光閥是液晶面板或數字微鏡設備。

13.一種包含至少一個發光二極管的顯示器，所述發光二極管包括：

p型層；

n型層；以及

發光層，其被布置在所述p型層與所述n型層之間并且具有含銦量子阱結構；

其中，所述p型層、所述n型層和所述發光層中的每一個都包括具有纖鋅礦型結構的氮基III-V族化合物半導體晶體；并且

其中，所述發光層具有相對于c平面以0.3°至1°的角度傾斜的主表面。

14.一種用于驅動電子設備的方法，所述電子設備包括至少一個發光二極管，所述發光二極管包括p型層、n型層和發光層，所述發光層被布置在所述p型層與所述n型層之間并且具有含銦量子阱結構，所述p型層、所述n型層和所述發光層中的每一個都包括具有纖鋅礦型結構的氮基III-V族化合物半導體晶體，所述發光層具有相對于c平面以0.25°至2°的角度傾斜的主表面，

所述方法包括用等于或者小于20A/cm²的范圍內的電流密度來調節所述發光二極管的亮度的步驟。