[發(fā)明專利]聚焦離子束裝置、樣品斷面形成及薄片樣品制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710141723.3
• 申請日: 2007-08-21
• 公開（公告）號: CN101131909A
• 公開（公告）日: 2008-02-27
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 田代純一;一宮豐;藤井利昭
• 申請（專利權(quán)）人: 精工電子納米科技有限公司
• 主分類號: H01J37/304
• 分類號: H01J37/304;H01J37/28;H01L21/3065
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司
• 代理人: 張雪梅;劉宗杰

1.一種使用聚焦離子束裝置相對于平行于樣品表面的方向形成包含至少兩種不同材料的樣品斷面的方法，使用聚焦離子束裝置的該樣品斷面形成方法包含的步驟有：

在通過掃描照射聚焦離子束對樣品的期望區(qū)域進行刻蝕以形成垂直于樣品表面的斷面的同時，檢測由照射聚焦離子束產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及

檢測基于所檢測到的二次帶電粒子的信號的變化量，并根據(jù)所述變化量終止刻蝕。

2.根據(jù)權(quán)利要求1的使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法，其中建立所述期望區(qū)域以使其一側(cè)幾乎平行于樣品表面中的期望斷面的一側(cè)，從而以形成包含該平行一側(cè)的斷面的方式進行刻蝕；接著通過掃描照射離子束對所述工作區(qū)進行蝕刻，同時形成朝向期望斷面并在加寬方向上的所述工作區(qū)的斷面，從而根據(jù)此時產(chǎn)生的二次帶電粒子信號來檢測每個斷面位置的信號量變化，根據(jù)其變化量來終止刻蝕。

3.根據(jù)權(quán)利要求1的使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法，其中通過檢測二次帶電粒子信號的信號量變化而終止刻蝕的步驟包括：

在每個副掃描位置，相對于副掃描方向累積刻蝕過程中在主掃描方向檢測到的二次帶電粒子信號，假定與期望斷面的一側(cè)幾乎平行的方向為主掃描方向，而垂直于主掃描方向的方向為副掃描方向；檢測累積信號量的變化；以及根據(jù)其變化量終止刻蝕。

4.一種利用聚焦離子束裝置制備薄片樣品的方法，包含如下步驟：

使用權(quán)利要求1的使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法，形成樣品斷面；以及，

類似地關(guān)于期望的薄片樣品區(qū)與已形成的樣品斷面相對地形成斷面，從而形成薄片樣品區(qū)。

5.一種聚焦離子束裝置，包含：

用于產(chǎn)生離子的離子發(fā)生源；

離子光學系統(tǒng)，其將離子限制成為聚焦離子束，并在掃描的同時照射該聚焦離子束到樣品表面；

用于支撐樣品的樣品臺；

用于移動樣品臺的樣品臺控制機構(gòu)；

二次帶電粒子探測器，它用于檢測由照射聚焦離子束所產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及

端點檢測機構(gòu)，當通過掃描照射聚焦離子束對垂直于樣品表面形成的斷面進行刻蝕時，它根據(jù)二次帶電粒子探測器檢測到的二次帶電粒子信號量的變化量來檢測端點。

6.一種在樣品表面中形成斷面的方法，該方法在和聚焦離子束裝置的透鏡鏡筒軸平行的方向掃描照射聚焦離子束，并在樣品的期望區(qū)域形成樣品斷面同時刻蝕該斷面，該使用聚焦離子束裝置的樣品斷面形成方法的特征在于包括以下步驟：

檢測由照射聚焦離子束所產(chǎn)生的二次帶電粒子；以及

檢測所檢測到的二次帶電粒子的信號的信號量變化，并在有信號量變化時，根據(jù)變化量來終止刻蝕。