[發明專利]衍射光柵元件及其制造方法和設計方法有效
| 申請號: | 200710141702.1 | 申請日: | 2004-01-27 |
| 公開(公告)號: | CN101114030A | 公開(公告)日: | 2008-01-30 |
| 發明(設計)人: | 鹽崎學;茂原政一 | 申請(專利權)人: | 住友電氣工業株式會社 |
| 主分類號: | G02B5/18 | 分類號: | G02B5/18 |
| 代理公司: | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 | 代理人: | 許海蘭 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 衍射 光柵 元件 及其 制造 方法 設計 | ||
1.一種衍射光柵元件,其特征在于:
在假定了相互平行的第1平面以及第2平面時,具有:
在第1平面的外側相接于第1平面設置的折射率為n1的第1介質;
在第1平面和第2平面之間相接于第1平面以及第2平面并在平行于第1平面的預定方向交互設置從而形成了衍射光柵的折射率為n2的第2介質以及折射率為n3的第3介質,其中n3<n2;和
在第2平面的外側相接于第2平面設置的折射率為n4的第4介質,
上述第1介質、第2介質、第3介質以及第4介質各自的折射率n1~n4滿足關系式n3<n1<n2、n3≤n4≤n2或者n3≤n1≤n2、n3<n4<n2,
上述第2介質以及上述第3介質兩者都是固體,
當設上述第1平面和上述第2平面之間的平均折射率為nav時,上述第1介質的折射率n1滿足關系式nav-0.2≤n1≤nav+0.2。
2.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述第4介質的折射率n4滿足關系式nav-0.2≤n4≤nav+0.2。
3.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
關于垂直于上述第1平面的方向的上述第1介質的厚度為5μm以上。
4.根據權利要求3所述的衍射光柵元件,其特征在于:
關于垂直于上述第1平面的方向的上述第4介質的厚度為5μm以上。
5.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
存在TE偏波光以及TM偏波光各自的衍射效率達到90%以上的光波長。
6.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
存在TE偏波光以及TM偏波光各自的衍射效率之差為5%以下的光波長。
7.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述第2介質的折射率n2與上述第3介質的折射率n3之差為0.7以上。
8.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述第2介質或上述第3介質由可以通過照射能量射線改變折射率的預定材料構成。
9.根據權利要求8所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述預定材料為鉆石類的碳。
10.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述第1介質或上述第4介質由蝕刻率較上述第2介質或上述第3介質慢的預定材料構成。
11.根據權利要求10所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述預定材料是Al2O3、MgO、Nd2O3以及氟系化合物之一。
12.根據權利要求10所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述第2介質或上述第3介質為TiO2、Nb2O5、Ta2O5、SiN、SiO2、SiO、ZrO2、Sb2O3之一。
13.根據權利要求1所述的衍射光柵元件,其特征在于:
上述第2介質與上述第3介質相接。
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