[發明專利]存儲器控制裝置

無效

• 申請號: 200710141288.4
• 申請日: 2004-01-26
• 公開（公告）號: CN101101573A
• 公開（公告）日: 2008-01-09
• 發明（設計）人: 秋月麻水子;青木透;上田泰志
• 申請（專利權）人: 松下電器產業株式會社
• 主分類號: G06F12/06
• 分類號: G06F12/06
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司
• 代理人: 沈昭坤

本申請是發明名稱為“存儲器控制裝置”、申請日為2004年1月26日、申請號為200480001837.2(PCT/JP2004/000671)的母案的分案申請。

技術領域

本發明涉及電子設備中控制由多個存儲體構成的存儲器的存儲器控制裝置。

背景技術

近年來，不斷使用能與時鐘同步地高速進行個人計算機中頻繁使用的高速緩存器的脈沖串傳輸的同步動態隨機存取存儲器(下文略為SDRAM)。此SDRAM可切換存儲體劃分模式的連續存取模式和隨機存取模式。存儲體劃分模式中，作為4個存儲區，具有：2位存儲體信號是“00”的存儲體0，是“01”的存儲體1，是“10”的存儲體2，是“11”的存儲體3。一面利用時鐘控制切換該存儲體0、存儲體1、存儲體2和存儲體3，一面進行訪問，可在進行從第1個訪問的存儲體讀出數據的期間，進行下一個存儲體地址的取入。

如圖18所示，現有的控制這種SDRAM的存儲器控制裝置800由存儲器控制單元802、以及協調與等待信號產生部803構成，控制從多個組件804、805、806、807對SDRAM808的訪問(例如參考JP8-212175A公報)。

從多個組件804、805、806、807分別將存儲地址信號(MADR)、數據信號(DATA)和讀出/寫入(RD/WR)輸入到各組件對應的存儲器控制部809、810、811、812，將多個組件804、805、806、807的存儲器訪問請求信號(CS)輸入到協調與等待信號產生部803，該協調與等待信號產生部803將等待信號(Wait)送回到多個組件804、805、806、807。與從協調與等待信號產生部803收到存儲器訪問允許信號(Enable)的組件對應的控制部控制所允許的組件對SDRAM的訪問。說明一例使用該存儲器控制裝置的SDRAM的讀訪問定時。這里，用存儲體劃分模式使該SDRAM808運作。

例如，使來自組件的存儲地址的位10和位3與SDRAM的存儲體信號關聯，該位為“00”、“01”、“10”、“11”，則分別選擇存儲體0、存儲體1、存儲體2、存儲體3。如圖19所示，一面按照時鐘(圖19(A))切換多個組件的行地址(R0、R2、R3)和列地址(C0、C1、C2、C3)，一面對SDRAM808輸出存儲器命令(圖19(B))和存儲地址(圖19(C))。從輸入與存儲體0對應的讀命令901開始，經過3個時鐘脈沖后輸出從存儲體0讀出的數據(圖19(D))D00、D01。D01是后續于D00的地址數據，意味著一個地址輸入能輸出2個字的數據。僅需要1個字的份額時，不需要D01，不將其傳送到進行存儲器訪問的組件。能用稱為“CAS潛伏時間”的、SDRAM808中具有的模式設定改變輸出數據前的時鐘脈沖數。可用稱為“脈沖串長度”的模式設定改變用1個地址輸入進行處理的數據數。例如，將“CAS潛伏時間”取為“3”，將“脈沖串長度”取為“2”。

在末尾數據(即2字輸出)時，按數據D01的輸出定時自動進行多個存儲體的預充電。存儲體1、存儲體2、存儲體3也相同。這樣，對SDRAM808的存儲體0、存儲體1、存儲體2、存儲體3一面進行切換，一面進行訪問，從而連續訪問，無間隙。

然而，已有的存儲器控制裝置中，在單一組件訪問存儲體劃分模式的SDRAM808的情況下，輸出連續訪問同一存儲體(例如為存儲體1)的存儲地址，則不斷訪問存儲體1。這時，在對存儲體1的預充電操作結束前，不能對存儲體1輸出地址，存在產生不能訪問SDRAM的徒勞無用周期的問題。

因此，單一組件訪問SDRAM時，考慮通過以單一組件方不連續訪問同一存儲體的方式產生存儲地址，解決上述問題。然而，在多個組件訪問SDRAM時，極難使多個組件作存儲器訪問時的存儲體相互控制，因而有可能連續訪問同一存儲體。

例如，組件804訪問存儲體1后，組件805要訪問存儲體1時，對同一存儲體的訪問連續。這時，在對存儲體1的預充電操作結束前，不能對存儲體1輸出地址。即，產生不能訪問SDRAM808的無用周期。

又，已有的存儲器控制裝置801中，在從SDRAM808讀出數據的讀訪問后進行對SDRAM808寫入數據的寫訪問時，根據SDRAM808的規范，產生不能訪問SDRAM的無用周期。因此，存在的問題是：在多個組件804、805、806、807請求讀訪問后，接著請求寫訪問時，與連續進行寫訪問時和連續進行讀訪問時相比，訪問SDRAM808的周期數增多。