[發明專利]CMOS圖像傳感器及其制造方法

無效

• 申請號: 200710140900.6
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101123220A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 李相起
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/822
• 分類號: H01L21/822;H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種方法，包含下列步驟：

制備具有像素區域和外圍區域的半導體襯底，其中在所述半導體襯底上形成有柵電極；

僅在該像素區域上形成硅化物阻擋層；

僅在該外圍區域上形成硅化物層；以及

去除在該像素區域上形成的硅化物阻擋層。

2.如權利要求1所述的方法，還包含下列步驟：

在該像素區域上形成硅化物阻擋層的步驟之前，在該半導體襯底上涂覆多氧化層；以及

在該像素區域上形成硅化物阻擋層的步驟之前，在該多氧化層上沉積線性氮化物層。

3.如權利要求2所述的方法，其中該線性氮化物層具有大約300至大約500范圍的厚度。

4.如權利要求2所述的方法，其中該硅化物阻擋層包括等離子體增強的四乙基原硅酸鹽，即PETEOS。

5.如權利要求2所述的方法，還包含下列步驟：

在該半導體襯底上涂覆絕緣層；

選擇性地刻蝕該絕緣層以形成孔洞；以及

將金屬插入該孔洞以形成接觸部。

6.如權利要求5所述的方法，其中該絕緣層包括磷硅酸鹽玻璃，即PSG。

7.如權利要求5所述的方法，還包含下列步驟：在該像素區域和該外圍區域中均形成金屬接觸部。

8.一種裝置，其包含：

半導體襯底，其具有像素區域和外圍區域；

柵電極，其在該像素區域和該外圍區域中；

柵極氧化層，其僅在該半導體襯底的像素區域上；

線性氮化物層，其僅在該柵極氧化層上；以及

硅化物層，其僅在該半導體襯底的外圍區域上。

9.如權利要求8所述的裝置，其中該線性氮化物層具有大約300至大約500范圍的厚度。

10.如權利要求8所述的裝置，還包含：

絕緣層，其在該半導體襯底上；以及

接觸部，其在該絕緣層中，且該接觸部由金屬插塞形成。

11.如權利要求10所述的裝置，還包含：多個接觸部，其在該像素區域上的絕緣層中和該外圍區域上的絕緣層中。

12.如權利要求8所述的裝置，其中該絕緣層包括磷硅酸鹽玻璃，即PSG。

13.如權利要求8所述的裝置，其中僅在該像素區域上臨時形成硅化物阻擋層，以僅在該外圍區域上形成該硅化物層。

14.一種方法，包含下列步驟：

制備具有像素區域和外圍區域的半導體襯底；

在該像素區域和該外圍區域上均形成柵電極；

在該半導體襯底上涂覆多氧化層；

在該多氧化層上沉積線性氮化物層；

在該多氧化層上形成硅化物阻擋層；

從該外圍區域上去除該多氧化層、線性氮化物層以及硅化物阻擋層；

僅在該外圍區域上形成硅化物層；以及

去除殘留在該像素區域上的硅化物阻擋層。

15.如權利要求14所述的方法，還包含下列步驟：

在該半導體襯底上形成絕緣層；

選擇性地蝕刻該絕緣層，以在該像素區域和該外圍區域中均形成孔洞；以及

利用金屬填充每個孔洞，以形成多個接觸部。

16.如權利要求15所述的方法，其中該線性氮化物層具有大約300至大約500范圍的厚度。

17.如權利要求16所述的方法，其中該硅化物阻擋層包括等離子體增強的四乙基原硅酸鹽，即PETEOS。

18.如權利要求17所述的方法，其中該絕緣層包括磷硅酸鹽玻璃，即PSG。