[發明專利]等離子體處理裝置用的載置臺以及等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 200710140387.0
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101123200A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 輿石公;檜森慎司;松山昇一郎
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/513;H01J37/32;H05H1/24
• 代理公司: 北京紀凱知識產權代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置用的載置臺，其用于在載置面上載置被處理基板，特征在于，包括：

導電體部件，連接于高頻電源，兼作為等離子體生成用或等離子體中的離子引入用的電極；

電介體層，以覆蓋該導電體部件的上面中央部的方式設置，用于使通過被處理基板向等離子體施加的高頻電場均勻；和

靜電卡盤，層積在該電介體層上，以高頻能夠通過其間的方式埋設著在載置臺的徑向上互相隔離并分割為多個的電極膜，其中，

所述電介體層的外邊緣，位于被分割的電極膜間的隔離區域內部邊緣的正下方或更靠外側的位置，

被分割的電極膜相對于高頻相互絕緣。

2.如權利要求1所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

所述電介體層，以越往下外邊緣越位于內側的方式層積多層，

所述電極膜的分割數目，比電介體層的層數至少多一個。

3.一種等離子體處理裝置用的載置臺，其用于在載置面上載置被處理基板，特征在于，包括：

導電體部件，連接于高頻電源，兼作為等離子體生成用或等離子體中的離子引入用的電極；

電介體層，以覆蓋該導電體部件的上面中央部的方式設置，用于使通過被處理基板向等離子體施加的高頻電場均勻；以及

靜電卡盤，層積在該電介體層上，以高頻能夠通過的方式埋設著在對應于載置臺中央部的位置形成有孔部的電極膜，其中，

所述電介體層，位于該孔部的下方。

4.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

所述電介體層形成為圓柱狀。

5.如權利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

所述電介體層的厚度在周邊部小于中央部。

6.如權利要求1～5中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

從所述高頻電源供給的高頻的頻率為13MHz以上。

7.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

對被處理基板進行等離子體處理的處理容器；

將處理氣體導入該處理容器的處理氣體導入部；

設置在所述處理容器內的如權利要求1～6中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺；

以與該載置臺相對的方式設置在該載置臺的上方側的上部電極；和

用于對所述處理容器內進行真空排氣的單元。