[發(fā)明專利]等離子體處理裝置用的載置臺以及等離子體處理裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710140387.0
• 申請日: 2007-08-10
• 公開（公告）號: CN101123200A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 輿石公;檜森慎司;松山昇一郎
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683;H01L21/67;H01L21/00;C23C16/458;C23C16/513;H01J37/32;H05H1/24
• 代理公司: 北京紀(jì)凱知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 龍淳

1.一種等離子體處理裝置用的載置臺，其用于在載置面上載置被處理基板，特征在于，包括：

導(dǎo)電體部件，連接于高頻電源，兼作為等離子體生成用或等離子體中的離子引入用的電極；

電介體層，以覆蓋該導(dǎo)電體部件的上面中央部的方式設(shè)置，用于使通過被處理基板向等離子體施加的高頻電場均勻；和

靜電卡盤，層積在該電介體層上，以高頻能夠通過其間的方式埋設(shè)著在載置臺的徑向上互相隔離并分割為多個的電極膜，其中，

所述電介體層的外邊緣，位于被分割的電極膜間的隔離區(qū)域內(nèi)部邊緣的正下方或更靠外側(cè)的位置，

被分割的電極膜相對于高頻相互絕緣。

2.如權(quán)利要求1所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

所述電介體層，以越往下外邊緣越位于內(nèi)側(cè)的方式層積多層，

所述電極膜的分割數(shù)目，比電介體層的層數(shù)至少多一個。

3.一種等離子體處理裝置用的載置臺，其用于在載置面上載置被處理基板，特征在于，包括：

導(dǎo)電體部件，連接于高頻電源，兼作為等離子體生成用或等離子體中的離子引入用的電極；

電介體層，以覆蓋該導(dǎo)電體部件的上面中央部的方式設(shè)置，用于使通過被處理基板向等離子體施加的高頻電場均勻；以及

靜電卡盤，層積在該電介體層上，以高頻能夠通過的方式埋設(shè)著在對應(yīng)于載置臺中央部的位置形成有孔部的電極膜，其中，

所述電介體層，位于該孔部的下方。

4.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

所述電介體層形成為圓柱狀。

5.如權(quán)利要求1～3中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

所述電介體層的厚度在周邊部小于中央部。

6.如權(quán)利要求1～5中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺，其特征在于：

從所述高頻電源供給的高頻的頻率為13MHz以上。

7.一種等離子體處理裝置，其特征在于，包括：

對被處理基板進(jìn)行等離子體處理的處理容器；

將處理氣體導(dǎo)入該處理容器的處理氣體導(dǎo)入部；

設(shè)置在所述處理容器內(nèi)的如權(quán)利要求1～6中任一項所述的等離子體處理裝置用的載置臺；

以與該載置臺相對的方式設(shè)置在該載置臺的上方側(cè)的上部電極；和

用于對所述處理容器內(nèi)進(jìn)行真空排氣的單元。