[發明專利]振蕩器頻率穩定裝置及振蕩器

無效

• 申請號: 200710140186.0
• 申請日: 2007-08-08
• 公開（公告）號: CN101364788A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 詹勛典
• 申請（專利權）人: 普誠科技股份有限公司
• 主分類號: H03B5/04
• 分類號: H03B5/04;H03B5/20;H03K19/0185
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所
• 代理人: 劉新宇

技術領域

本發明相關于一種振蕩器頻率穩定裝置，尤指一種應用于RC振蕩器的振蕩器頻率穩定裝置。

背景技術

振蕩器(oscillator)是用來產生重復同期性的信號(通常是正弦波或方波)的電子電路，主要可以分成兩種：諧波振蕩器(harmonic?oscillator)與弛張振蕩器(relaxation?oscillator)。RC振蕩器屬于諧波振蕩器的其中一種，在振蕩電路中的頻率選擇部分中僅使用電阻和電容，而不用電感。

在一般的RC振蕩器中，電壓的大小會造成頻率的改變，請參閱圖1，圖1顯示不同電壓時振蕩器頻率的改變，高電壓波形11顯示電壓未改變時，振蕩器產生的波形，當振蕩器的電壓變小的時候，波形會改變成低電壓波形12，由于低電壓波形12的振蕩幅度小于高電壓波形11，因此頻率會上升，在同樣的時間內，振蕩器會產生較多周期的波形。

一般在振蕩器中，頻率往往和電壓相關，而當振蕩器電壓不穩定時，即會造成振蕩器頻率改變，使電路造成誤差，因此，如何設計一個振蕩器頻率穩定裝置成為目前迫切需要的技術。

發明內容

因此，本發明的目的之一，在于提供一種振蕩器頻率穩定裝置，其用于穩定一振蕩器的頻率，使該振蕩器在一輸入電壓改變時，該振蕩器的頻率不會改變，該振蕩器頻率穩定裝置包括：多個門裝置，其包括多個金屬氧化物半導體；多個電壓源，其耦接至該多個門裝置，用以提供該輸入電壓；多個電阻，其耦接至該多個門裝置。其中該多個門裝置與該電壓源產生一電流，該電流與該輸入電壓正相關。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該振蕩器為一RC振蕩器。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該多個門裝置為二傳輸門，該二傳輸門中每一個傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半導體以及一n型金屬氧化物半導體。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該多個電壓源為二電壓源，該二電壓源與該多個門裝置會產生該電流，該電流會影響該振蕩器的頻率。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該多個電阻為二電阻，該二電阻中一第一電阻的第二端耦接至一第二電阻的第一端，該第一電阻的第一端耦接至該多個門裝置中的一第一金屬氧化物半導體的柵極，該第二電阻的第二端耦接至該多個門裝置中的一第二金屬氧化物半導體的柵極。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，當該輸入電壓下降時，該電流跟著下降，受到輸入電壓下降與電流下降互相補償的影響，該振蕩器的頻率不因該輸入電壓下降而改變。

本發明另提供一種振蕩器頻率穩定裝置，其用于穩定一振蕩器的頻率，使該振蕩器在一輸入電壓改變時，該振蕩器的頻率不會改變，該振蕩器頻率穩定裝置包括：多個傳輸門，用以接收該輸入電壓以產生一電流；多個電阻，用以控制該電流的值；其中該電流與該輸入電壓正相關，該振蕩器的頻率受到該電流影響。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該振蕩器為一RC振蕩器。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該多個傳輸門為二傳輸門，該二傳輸門中每一個傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半導體以及一n型金屬氧化物半導體。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，該多個電阻為二電阻，該二電阻中一第一電阻的第二端耦接至一第二電阻的第一端，該第一電阻的第一端耦接至該多個傳輸門中的一p型金屬氧化物半導體的柵極，該第二電阻的第二端耦接至該多個傳輸門中的一n型金屬氧化物半導體的柵極。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，當該輸入電壓下降時，該電流跟著下降，受到輸入電壓下降與電流下降互相補償的影響，該振蕩器的頻率不因該輸入電壓下降而改變。

本發明所述的振蕩器頻率穩定裝置，更包括二電壓源以提供該輸入電壓。

本發明又提供一種振蕩器，包括一頻率穩定裝置，用于穩定一振蕩器的頻率，使該振蕩器在一輸入電壓改變時，該振蕩器的頻率變化會減小，該頻率穩定裝置包括：多個傳輸門，用以接收該輸入電壓以產生一電流；多個電阻，用以控制該電流的值；其中該電流與該輸入電壓正相關，該振蕩器的頻率受到該電流影響。

本發明所述的振蕩器，該振蕩器為一RC振蕩器。

本發明所述的振蕩器，該多個傳輸門為二傳輸門，該二傳輸門中每一個傳輸門分別包括一p型金屬氧化物半導體以及一n型金屬氧化物半導體。

本發明所述的振蕩器，該多個電阻為二電阻，該二電阻中一第一電阻的第二端耦接至一第二電阻的第一端，該第一電阻的第一端耦接至該多個傳輸門中的一p型金屬氧化物半導體的柵極，該第二電阻的第二端耦接至該多個傳輸門中的一n型金屬氧化物半導體的柵極。