[發明專利]像素結構及其制造方法

有效

• 申請號: 200710140138.1
• 申請日: 2007-08-06
• 公開（公告）號: CN101109882A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發明（設計）人: 林祥麟;劉松高
• 申請（專利權）人: 友達光電股份有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G09G3/36;H01L21/3205
• 代理公司: 北京律誠同業知識產權代理有限公司
• 代理人: 梁揮;祁建國

1.一種像素結構的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一圖案化導體層于一基板上，該第一圖案化導體層包括一柵極以及一數據線；

形成一柵極絕緣層于該基板上，以覆蓋該第一圖案化導體層；

形成一半導體通道層于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

形成一第二圖案化導體層于該柵極絕緣層以及該半導體通道層上，該第二圖案化導體層包括一掃描線、一共通電極線以及一源極與一漏極，其中該掃描線與該柵極電性連接，該共通電極線位于該數據線上方，而該源極與該漏極位于該半導體通道層上，且該源極電性連接該數據線；

形成一保護層于該基板上，以覆蓋該第二圖案化導體層；以及

形成一像素電極于該保護層上，且該像素電極與該漏極電性連接。

2.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，形成該半導體通道層的方法包括：

形成一半導體材料層于該柵極絕緣上；

進行一摻雜工藝，以于該半導體材料層的上表面形成一歐姆接觸層；以及

圖案化該半導體材料層，以形成該半導體通道層。

3.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，形成該柵極絕緣層的方法包括：

形成一第一介電層于該基板上；以及

形成一第一接觸窗以及一第二接觸窗于該第一介電層中，以分別暴露出該柵極以及該數據線的部分區域。

4.根據權利要求3所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該掃描線通過該第一接觸窗與該柵極電性連接且該源極通過該第二接觸窗與該數據線電性連接。

5.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，形成該保護層的方法包括：

形成一第二介電層于該基板上，并覆蓋該第二圖案化導體層；以及

形成一第三接觸窗于該第二介電層中，以暴露出該漏極的部分區域。

6.根據權利要求5所述的像素結構的制造方法，其特征在于，該像素電極通過該第三接觸窗與該漏極電性連接。

7.根據權利要求1所述的像素結構的制造方法，其特征在于，還包括于形成該第一圖案化導體層時，形成一位于該柵極的一側的連接層。

8.根據權利要求7所述的像素結構的制造方法，其特征在于，還包括于形成該半導體通道層后以及形成該第二圖案化導體層之前，形成一第四接觸窗于該柵極絕緣層中，以暴露出部分該連接層，以使該第二圖案化導體層形成之后，該漏極通過該第四接觸窗與該連接層電性連接。

9.根據權利要求8所述的像素結構的制造方法，其特征在于，還包括于形成該保護層后以及形成該像素電極之前，形成一第五接觸窗于該保護層以及該柵極絕緣層中，以暴露出部分該連接層，并且使該像素電極形成之后，該像素電極通過該第五接觸窗電性連接該連接層。

10.一種像素結構，適于配置于一基板上，其特征在于，該像素結構包括：

一第一圖案化導體層，配置于該基板上，該第一圖案化導體層包括一柵極以及一數據線；

一柵極絕緣層，覆蓋該第一圖案化導體層；

一半導體信道層，配置于該柵極上方的該柵極絕緣層上；

一第二圖案化導體層，配置于該柵極絕緣層以及該半導體通道層上，該第二圖案化導體層包括一掃描線、一共通電極線以及一源極與一漏極，該掃描線與該柵極電性連接，該共通電極線位于該數據線上方，而該源極與該漏極位于該半導體通道層上，且該源極電性連接該數據線；

一保護層，覆蓋該第二圖案化導體層；以及

一像素電極，配置于該保護層上，且該像素電極與該漏極電性連接。

11.根據權利要求10所述的像素結構，其特征在于，該柵極絕緣層具有一第一接觸窗以及一第二接觸窗，分別位于該柵極以及該數據線上方。

12.根據權利要求11所述的像素結構，其特征在于，該掃描線通過該第一接觸窗與該柵極電性連接且該源極通過該第二接觸窗與該數據線電性連接。

13.根據權利要求10所述的像素結構，其特征在于，該保護層具有一第三接觸窗，位于該漏極上方，該像素電極通過該第三接觸窗與該漏極電性連接。