[發明專利]具有開放配體的用于含釕膜沉積的前體無效
| 申請號: | 200710139827.0 | 申請日: | 2007-08-02 |
| 公開(公告)號: | CN101122010A | 公開(公告)日: | 2008-02-13 |
| 發明(設計)人: | J·伽蒂諾;C·迪薩拉 | 申請(專利權)人: | 喬治洛德方法研究和開發液化空氣有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/06 | 分類號: | C23C16/06;C23C16/44 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務所 | 代理人: | 林柏楠;劉金輝 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 開放 用于 含釕膜 沉積 | ||
1.用于含釕膜沉積的含釕前體,包含選自基本由下列物質組成的組的釕前體:
Ru(XOp)(XCp)、Ru(XOp)2、Ru(烯丙基)3、RuX(烯丙基)2、RuX2(烯丙基)2、Ru(CO)x(脒根)Y、Ru(二酮根)2X2、Ru(二酮根)2(脒根)2、它們的衍生物及其任何混合物。
2.在反應器中將含釕膜沉積到基材上的方法,包括以下步驟:
-向反應器中提供基材,優選處于反應溫度;
-向反應器中引入至少一種根據權利要求1的含釕前體;
-向反應器中引入包含氫和/或氧的氣體混合物;
-使所述含釕前體與所述氣體或氣體混合物反應,以將含釕膜沉積到基材上。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





