[發(fā)明專利]一種IC片外延的工藝方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710139295.0 | 申請日： | 2007-08-28 |
| 公開（公告）號： | CN101165225A | 公開（公告）日： | 2008-04-23 |
| 發(fā)明（設計）人： | 袁肇耿;趙麗霞;陳秉克 | 申請（專利權）人： | 河北普興電子科技股份有限公司 |
| 主分類號： | C30B25/02 | 分類號： | C30B25/02 |
| 代理公司： | 石家莊國為知識產權事務所 | 代理人： | 張明月 |
| 地址： | 050200河北省石*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 ic 外延 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種IC片外延的工藝方法，本方法以三氯氫硅為硅源，二氧化硅為基片，生長爐內的壓力為常壓，其生產工藝過程為先對外延前的IC片進行表面處理、然后在生長爐中生長外延層，其特征在于：外延工藝采用的高溫高流量外延工藝生長外延層，其工藝參數設定如下：
通入HCl拋光，HCl拋光溫度為1190℃，HCl的流量為1升/分鐘，拋光時間為1分鐘；
外延生長溫度為1190℃，主氫流量為160升/分。
2.根據權利要求1所述的一種IC片外延的工藝方法，其特征在于所述外延前對IC片表面進行處理的步驟是：用的氟化氫酸稀釋液腐蝕二氧化硅表面，然后去離子水沖洗，甩干。
3.根據權利要求2所述的一種IC片外延的工藝方法，其特征在于所述腐蝕所用的氟化氫酸稀釋液的配比為：濃度為49％的HF酸和去離子水按1∶20的比例混合。
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