[發(fā)明專利]具控制法則彈性擴(kuò)張功能的電池管理系統(tǒng)芯片無(wú)效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710139063.5 | 申請(qǐng)日: | 2007-07-24 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101355184A | 公開(kāi)(公告)日: | 2009-01-28 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 何昌佑;許宏安;楊士慶 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 新德科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01M10/42 | 分類號(hào): | H01M10/42;H01M6/50;G06Q10/00;G06Q50/00;G06Q90/00 |
| 代理公司: | 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人: | 任默聞 |
| 地址: | 臺(tái)灣省*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 控制 法則 彈性 擴(kuò)張 功能 電池 管理 系統(tǒng) 芯片 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是關(guān)于一種電池管理芯片架構(gòu),特別是指一種電池本身或多顆電池串聯(lián)起來(lái)而使電池工作電壓范圍落在超出快閃存儲(chǔ)器工作電壓的具內(nèi)嵌SRAM快取的電池管理芯片架構(gòu)。
背景技術(shù)
可攜式裝置(portable?device)的電源供應(yīng)主要來(lái)自電池,而電池受限于可攜式裝置容積的關(guān)系,而使得其蓄積電量受到相當(dāng)?shù)南拗疲虼耍蓴y式裝置的耗電率從過(guò)去到現(xiàn)在一直都是設(shè)計(jì)者所注意的焦點(diǎn)之一。也因此,目前在先進(jìn)的可攜式裝置中,都會(huì)采用“電池管理”芯片系統(tǒng)來(lái)提高電池的效能。電池管理系統(tǒng)芯片控管電池(如:鋰電池)的容量、工作溫度、充放電狀態(tài)、充放電累計(jì)次數(shù)等重要參數(shù)數(shù)據(jù)及相關(guān)檢測(cè)程序。而智能型的電池管理系統(tǒng)芯片還包含具有依據(jù)使用環(huán)境及工作條件而更新相關(guān)參數(shù)的能力。
一般而言,電池管理系統(tǒng)芯片包含一中央處理單元(CPU)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的微處理器及電池保護(hù)集成電路模塊。其中,只讀存儲(chǔ)器(ROM)中除存入相關(guān)開(kāi)機(jī)程序外,也包含有關(guān)電池容量、工作溫度、充放電狀態(tài)、電池殘余電量、充電完成、充放電累計(jì)次數(shù)等檢測(cè)程序由中央處理單元執(zhí)行指令,而檢測(cè)結(jié)果則存入電池管理系統(tǒng)芯片中的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器中。但電池在使用一段時(shí)間后往往會(huì)受到其所含化學(xué)物質(zhì)老化因素的影響而使得所檢測(cè)到的電池殘余電量及充電飽和值等數(shù)據(jù)不再可靠。不能進(jìn)行數(shù)據(jù)寫(xiě)入或刪除以因應(yīng)包含一學(xué)習(xí)程序的智能型電池管理系統(tǒng)芯片系統(tǒng)的只讀存儲(chǔ)器(ROM)顯然就不足以擔(dān)以重任。具有保存數(shù)據(jù)內(nèi)容至少十年,且不需要消耗電能的快閃存儲(chǔ)器來(lái)儲(chǔ)存電池管理程序、學(xué)習(xí)程序及電池參數(shù)將是一個(gè)最佳的選擇。因此,一顆堪稱智能型電池管理系統(tǒng)芯片系統(tǒng)必會(huì)再外掛或內(nèi)含非揮發(fā)性的存儲(chǔ)器來(lái)記錄電池管理程序及學(xué)習(xí)程序,以達(dá)到具有相關(guān)參數(shù)、程序可以更新且不會(huì)隨著電源關(guān)閉時(shí)就消失的功能。
然而,也正由于半導(dǎo)體工藝快速精進(jìn),60納米工藝或更小的組件尺寸已是流行的技術(shù),快閃存儲(chǔ)器的工藝也不例外,單一快閃存儲(chǔ)單元雖較晶體管尺寸稍大,但工藝技術(shù)也由深次微米邁入納米工藝,以追求低工作電壓已是不變的趨勢(shì)。另一方面,電池卻朝著多顆串聯(lián)的方向前進(jìn),以滿足使用者的可攜式電子裝置可以真正擺脫電池使用時(shí)間過(guò)短而仍需要交流電源支持的窘態(tài)。如此的結(jié)果將使得電池管理芯片的架構(gòu)變成相對(duì)高工作電壓范圍的架構(gòu)。典型的工作電壓范圍約在7.5V至40V。一般而言,電池管理芯片的架構(gòu)設(shè)計(jì)在30V至40V時(shí)可以滿足最多數(shù)情況的需求,單一化的電池管理芯片的設(shè)計(jì)可以不用為因應(yīng)某些情況再重新設(shè)計(jì),而達(dá)到縮短設(shè)計(jì)工作時(shí)程。然而這個(gè)范圍的工作電壓顯然不是市面上快閃存儲(chǔ)器可以承受的工作電壓范圍。
有鑒于此,有必要尋求一新的電池管理系統(tǒng)芯片架構(gòu)來(lái)克服上述的問(wèn)題。本發(fā)明提供一種內(nèi)嵌SRAM及SRAM快取的電池管理系統(tǒng)芯片架構(gòu),結(jié)合外部的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器而達(dá)到SRAM內(nèi)容不會(huì)因電源關(guān)閉,就流失數(shù)據(jù)的目的。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的為提供一種電池管理系統(tǒng),一內(nèi)嵌SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的電池管理芯片。此外,該電池管理芯片該包含中央處理單元(CPU)、ROM(只讀存儲(chǔ)器)及ROM-RAM譯碼器,但不含快閃存儲(chǔ)器在其內(nèi)。一非揮發(fā)性存儲(chǔ)器儲(chǔ)存一電池管理的應(yīng)用程序外接于電池管理芯片,主機(jī)開(kāi)啟或重置時(shí)該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的內(nèi)容會(huì)被加載該SRAM內(nèi),當(dāng)主機(jī)關(guān)閉前上述的該SRAM的內(nèi)容會(huì)被回儲(chǔ)至非揮發(fā)性存儲(chǔ)器。上述的加載或回儲(chǔ)是以一通信協(xié)議來(lái)進(jìn)行。當(dāng)上述主機(jī)包含電池管理芯片及電池。
上述的SRAM包含快取RAM、一般RAM及數(shù)據(jù)RAM。其中快取RAM、一般RAM都是儲(chǔ)存電池管理的應(yīng)用程序的程序代碼。而數(shù)據(jù)RAM是儲(chǔ)存電池管理的應(yīng)用程序的數(shù)據(jù)碼。
非揮發(fā)性存儲(chǔ)器則可以自快閃存儲(chǔ)器、軟盤(pán)、硬盤(pán)、及可擦寫(xiě)光盤(pán)其中的一種。
此外,電池管理系統(tǒng)還包含一電池保護(hù)IC(集成電路)制作于該電池管理芯片內(nèi)或外但以電性連接,以防止電池過(guò)度充電或放電。
本發(fā)明的有益效果為:
1.電池管理芯片內(nèi)含的是能耐高壓的SRAM取代快閃存儲(chǔ)器,快閃存儲(chǔ)器在芯片內(nèi)的好處仍被保存,但快閃存儲(chǔ)器不耐高壓的問(wèn)題卻已不再存在,工不必考慮作電壓范圍可以使電池管理芯片開(kāi)發(fā)時(shí)程可以縮短。
2.可以動(dòng)態(tài)更新電池管理控制法則在SRAM中,不需斷電,也不需對(duì)電池模塊重新加工。
3.快取RAM的存在可以使讀取數(shù)據(jù)的速率更快,且更加省電。
4.電池管理芯片內(nèi)嵌SRAM可以以標(biāo)準(zhǔn)邏輯工藝制造,不需要去考慮殊高壓工藝的限制,因此沒(méi)有依賴特殊工藝支撐。
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