[發明專利]發光二極管

有效

• 申請號: 200710138496.9
• 申請日: 2007-08-08
• 公開（公告）號: CN101364621A
• 公開（公告）日: 2009-02-11
• 發明（設計）人: 曹文明;歐震;王韋涵;陳建文
• 申請（專利權）人: 晶元光電股份有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所
• 代理人: 彭久云;許向華

1.一種發光二極管，包括：

基底；

第一材料層，在該基底上方；

第二材料層，在該第一材料層上方；

發光層，在該第一材料層及該第二材料層之間；及

光通道，起始自該基底并穿過該發光層，其中該光通道的折射率與該第一材料層、該第二材料層、與該發光層中至少其一的折射率不同。

2.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道的折射率小于該第一材料層及該第二材料層的折射率。

3.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道的材料與該基底相同。

4.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道的材料與該基底相異。

5.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道的材料擇自由二氧化硅與氮化硅構成的群組。

6.如權利要求1所述的發光二極管，其中該基底包括絕緣材料。

7.如權利要求1所述的發光二極管，其中該基底的材料擇自由藍寶石、二氧化硅、與碳化硅構成的群組。

8.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道突出于該第二材料層。

9.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道的頂面與該第二材料層的頂面齊平。

10.如權利要求1所述的發光二極管，其中該光通道為柱狀體或椎狀體。

11.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一材料層及該第二材料層包括氮元素。

12.如權利要求1所述的發光二極管，其中該發光層包括氮化鎵銦系列材料或氮化鎵銦鋁系列材料。

13.如權利要求1所述的發光二極管，其中該第一材料層包括n型半導體，該第二材料層包括p型半導體。

14.如權利要求1所述的發光二極管，其中該發光層表面的幾何形狀選擇自由凹面、凸面、及前述二者的組合所構成的群組。

15.如權利要求1所述的發光二極管，還包括：

透明導電層，在該第二材料層上方。

16.如權利要求1所述的發光二極管，還包括：

第一電極層，在該第二材料層上方。

17.如權利要求1所述的發光二極管，還包括：

第二電極層，在該第一材料層上方。