[發(fā)明專利]電壓變換電路及具有該電壓變換電路的顯示裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710138183.3
• 申請(qǐng)日: 2007-07-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN101136588A
• 公開(kāi)（公告）日: 2008-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 梶原久芳;萬(wàn)場(chǎng)則夫;宮澤敏夫
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社日立顯示器
• 主分類號(hào): H02M3/07
• 分類號(hào): H02M3/07;G09G3/20
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司
• 代理人: 胡建新

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種將輸入的電壓變換并輸出的電壓變換電路以及具有該電壓變換電路的顯示裝置，尤其涉及一種用于攜帶型裝置的顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路。

背景技術(shù)

像素部具有開(kāi)關(guān)元件，TFT(Thin?Film?Transistor)方式的液晶顯示裝置作為電腦等的顯示裝置被廣泛使用。此外，TFT方式的顯示裝置也被用在攜帶電話等的攜帶終端裝置的顯示裝置上。用于攜帶用終端裝置的顯示裝置與以前的液晶顯示裝置相比，要求更小型、省電的性能。

作為伴隨小型化的問(wèn)題，可以例舉安裝顯示裝置的驅(qū)動(dòng)電路的空間減少的問(wèn)題。普通顯示裝置的外觀最好是周邊部與顯示區(qū)域相比窄(窄邊緣)。但是，顯示區(qū)域周邊部卻是用于安裝驅(qū)動(dòng)電路的區(qū)域。因此，由于窄邊緣化，驅(qū)動(dòng)電路更加小型化，安裝面積被限制的很窄。并且，更高分辨率的顯示裝置的開(kāi)發(fā)，伴隨驅(qū)動(dòng)電路出來(lái)的輸出數(shù)的增加，也產(chǎn)生了連接端子的間距變得更窄，連接可靠性下降的問(wèn)題。

因此，在更小的面積上實(shí)現(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路，也為了進(jìn)一步解除連接的問(wèn)題，在和像素部開(kāi)關(guān)元件同樣的制造工序中，在設(shè)有開(kāi)關(guān)元件的同一基板上也制造驅(qū)動(dòng)電路，就是所謂的驅(qū)動(dòng)電路一體型的顯示裝置正在被開(kāi)發(fā)并實(shí)用化。

另一方面，攜帶用終端裝置的顯示裝置要求耗電低。并且，還要求能用電池等可攜帶的電源驅(qū)動(dòng)。但是，要驅(qū)動(dòng)顯示裝置就需要多種電壓，在使用電池等的低電壓用作單一電壓的電源時(shí)，有必要通過(guò)升壓電路等，從電源電壓形成顯示裝置驅(qū)動(dòng)用的電壓。

關(guān)于用于此目的的升壓電路，例如在美國(guó)公開(kāi)專利2005/0206441(特開(kāi)2005—304285號(hào)公報(bào))被公開(kāi)。

該升壓電路具有第一晶體管、第二晶體管、第一電容元件、第二電容元件、二極管、變換裝置，第一晶體管一側(cè)的電極設(shè)為設(shè)定的電位，變換裝置的輸出側(cè)通過(guò)第二電容元件連接到第一晶體管的柵極電極和第二晶體管一側(cè)的電極，變換裝置的輸入側(cè)通過(guò)第一電容元件連接到第一晶體管的另一側(cè)電極，連接到第二晶體管的柵極電極，二極管順向地連接在第一晶體管的另一側(cè)電極和第二晶體管的另一側(cè)電極之間。

但是，美國(guó)公開(kāi)專利2005/0206441記載的升壓電路以CMOS工藝(process)形成為前提，并沒(méi)有公開(kāi)用NMOS單溝道(chanel)形成的升壓電路。此外，關(guān)于閾值Vth偏移的影響沒(méi)有被充分考慮。

就是說(shuō)，美國(guó)公開(kāi)專利2005/0206441記載的電路以使用CMOS工藝形成為前提，因?yàn)樾枰狽、P兩極性的晶體管，制造成本就變得很高。

此外，美國(guó)公開(kāi)專利2005/0206441記載的電路當(dāng)由于制造偏差使閾值Vth變大的情況時(shí)，未能向電荷傳送開(kāi)關(guān)提供充分大的柵極電壓，由于開(kāi)關(guān)導(dǎo)通電阻導(dǎo)致電源電路特性惡化。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明目的在于抑制閾值偏差的影響，提供一種具有良好特性的電壓變換電路以及使用該電壓變換電路的顯示裝置。

在同一基板上設(shè)有像素電極、向像素電極提供圖像信號(hào)的開(kāi)關(guān)元件、向開(kāi)關(guān)元件提供圖像信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路、輸出掃描信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電路、電壓變換電路(例如升壓電路)，將這些通過(guò)NMOS單溝道方法形成。

具體如下，將第一晶體管的漏極和柵極連接到電壓輸入端子，將第一晶體管的源極連接到第一節(jié)點(diǎn)，將第二晶體管的漏極連接到電壓輸入端子，將第二晶體管的柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第二晶體管的源極連接到第一節(jié)點(diǎn)，將第三晶體管的漏極連接到電壓輸入端子，將第三晶體管的柵極連接到第一節(jié)點(diǎn)，將第三晶體管的源極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第四晶體管的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第四晶體管的柵極連接到第三節(jié)點(diǎn)，將第四晶體管的源極連接到第四節(jié)點(diǎn)，將第五晶體管的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第五晶體管的柵極連接到電壓輸出端子，將第五晶體管的源極連接到第四節(jié)點(diǎn)，將第六晶體管的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第六晶體管的柵極連接到第四節(jié)點(diǎn)，將第六晶體管的源極連接到電壓輸出端子，將第七晶體管的漏極和柵極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第七晶體管的源極連接到第三節(jié)點(diǎn)，將第八晶體管的漏極連接到第二節(jié)點(diǎn)，將第八晶體管的柵極連接到第四節(jié)點(diǎn)，將第八晶體管的源極連接到第三節(jié)點(diǎn)，將第一電容元件連接到第一控制信號(hào)輸入端子和第一節(jié)點(diǎn)之間，將第二電容元件連接到第二控制信號(hào)輸入端子和第四節(jié)點(diǎn)之間，將第三電容元件連接到第三控制信號(hào)輸入端子和第三節(jié)點(diǎn)之間，將第四電容元件連接到第四控制輸入信號(hào)端子和第二節(jié)點(diǎn)之間，將第五電容至少連接到電壓輸出端子和接地之間或者連接到電壓輸入端子和接地之間的一個(gè)。