[發明專利]集成電路及其制作方法

無效

• 申請號: 200710137031.1
• 申請日: 2007-07-19
• 公開（公告）號: CN101188222A
• 公開（公告）日: 2008-05-28
• 發明（設計）人: 王冠程;吳振誠;蔡方文;羅義興;陳奕伊;包天一;鄭雙銘
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 陳晨

1.一種集成電路，包含：

蝕刻停止層，形成于基底上；

起始層，形成于該蝕刻停止層上，且該起始層具有高消光系數；

低介電常數的介電層，形成于該起始層的上方；以及

金屬線，形成于該低介電常數的介電層之中。

2.如權利要求1所述的集成電路，其中該起始層的消光系數大于或等于0.11，而該起始層的折射率大于或等于1.75。

3.如權利要求1所述的集成電路，其中起始層包括選自硅、氧、碳、氫及其組合的群組的材質。

4.如權利要求1所述的集成電路，其中起始層的厚度介于70納米至450納米之間。

5.如權利要求1所述的集成電路，其中該蝕刻停止層包含一壓縮應力。

6.如權利要求1所述的集成電路，其中該低介電常數的介電層的介電常數小于2.5。

7.如權利要求1所述的集成電路，其中該蝕刻停止層包括選自碳氮化硅、氧氮化硅、碳化硅、氮化硅、氧碳化硅及其組合的群組的材料。

8.一種集成電路的制作方法，包括：

形成介電層于半導體基底上；

形成蝕刻停止層于該介電層上；

形成起始層于該蝕刻停止層上，且對于紫外線，該起始層具有大于或等于0.11的消光系數；

形成低介電常數的介電層于該起始層上；以及

以該紫外線，固化該低介電常數的介電層。

9.如權利要求8所述的集成電路的制作方法，其中形成該起始層的方式由等離子體加強式化學氣相沉積法完成。

10.如權利要求8所述的集成電路的制作方法，其中形成該起始層的工藝條件包括：

介于250℃至350℃之間的晶圓溫度；

介于1托至10托之間的反應室壓力；以及

介于100瓦至500瓦之間的射頻功率。

11.如權利要求8所述的集成電路的制作方法，其中形成該起始層的工藝條件，包括：

提供介于100sccm至500sccm之間的前驅物流量，其中該前驅物包含二甲基二乙氧基硅烷及氧氣。

12.如權利要求8所述的集成電路的制作方法，其中該固化步驟的紫外線波長范圍介于200納米至300納米之間。

13.如權利要求8所述的集成電路的制作方法，其中形成該起始層的步驟，還包括：

決定該紫外線的波長；以及

依據該紫外線的波長，調整形成該起始層的工藝條件，以增加該起始層的消光系數。