[發(fā)明專利]掩模及其制造方法和用該掩模制造微透鏡的方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 200710136896.6
• 申請日: 2007-07-23
• 公開（公告）號: CN101109896A
• 公開（公告）日: 2008-01-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李峻碩
• 申請（專利權(quán)）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: G03F1/00
• 分類號: G03F1/00;G03F7/00;H01L27/14;H01L27/146
• 代理公司: 隆天國際知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種掩模，包括：

透明掩模，由掩模圖案區(qū)限定；以及

掩模圖案，位于所述掩模圖案區(qū)上，包括第一相移層以及位于所述第一相移層上的第二相移層，所述第一相移層具有第一透射率而所述第二相移層具有第二透射率，所述第二透射率不同于所述第一透射率。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，還包括第三相移層。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模，其中所述第一相移層與所述第二相移層相比具有較大的線寬，且所述第二相移層與所述第三相移層相比具有較大的線寬。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述第一和第二相移層的透射率獨立地為從2％到10％。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述第一和第二相移層獨立地具有從180°到270°的相變率。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述掩模圖案取決于在所述掩模上的位置而具有不同的光透射率。

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的掩模，其中所述第一、第二和第三相移層各自的中心線彼此一致。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩模，其中所述第一和第二相移層各自具有不同的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求3所述的掩模，其中所述第三相移層位于所述第二相移層上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模，其中所述掩模在所述第三相移層的位置具有最低的光透射率。

11.一種制造微透鏡的方法，包括以下步驟：

在半導體襯底上形成透明抗蝕層；

在所述透明抗蝕層上方設(shè)置掩模，并將光穿過所述掩模照射到所述透明抗蝕層上，所述掩模具有位于掩模圖案區(qū)上的掩模圖案，所述掩模圖案包括第一相移層以及位于所述第一相移層上的第二相移層，所述第一相移層具有第一透射率而所述第二相移層具有第二透射率，所述第二透射率不同于所述第一透射率；以及

將所述透明抗蝕層圖案化以形成微透鏡圖案。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，在形成所述微透鏡圖案的步驟之后，還包括以下步驟：在80℃到100℃的溫度下烘焙所述半導體襯底和所述微透鏡圖案。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述第二相移層上形成第三相移層的步驟，其中所述第一相移層與所述第二相移層相比具有較大的線寬，且所述第二相移層與所述第三相移層相比具有較大的線寬。

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述掩模圖案取決于在所述掩模上的位置而具有不同的光透射率。

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一、第二和第三相移層具有彼此一致的相應(yīng)中心線。

16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中所述第一和第二相移層各自具有不同的厚度。

17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述掩模在所述第三相移層的位置具有最低的光透射率。

18.一種制造掩模的方法，包括以下步驟：

在掩模襯底上形成具有第一透射率的第一相移層；以及

在所述第一相移層上形成具有第二透射率的第二相移層，所述第二透射率不同于所述第一透射率。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括在所述第二相移層上形成第三相移層的步驟。

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述第一相移層與所述第二相移層相比具有較大的線寬，且所述第二相移層與所述第三相移層相比具有較大的線寬。