[發明專利]硅傳聲器及其制造方法無效
| 申請號: | 200710136826.0 | 申請日: | 2007-07-17 |
| 公開(公告)號: | CN101111102A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發明(設計)人: | 鈴木幸俊;平出誠治;寺田隆洋 | 申請(專利權)人: | 雅馬哈株式會社 |
| 主分類號: | H04R19/01 | 分類號: | H04R19/01;H04R19/04 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務所 | 代理人: | 葛青 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 傳聲器 及其 制造 方法 | ||
1.一種硅傳聲器,包括:
其中心部形成膜片的導電層;
設置在導電層的周向上以支持導電層的多個支持部;以及
形成在導電層中和與橫跨多個支持部之間畫出的虛線配置的皺褶。
2.按照權利要求1的硅傳聲器,其中取代皺褶,通過部分增加導電層的厚度在導電層中形成厚部。
3.按照權利要求1的硅傳聲器,其中通過部分減小導電層的厚度形成皺褶。
4.一種硅傳聲器,包括:
其中心部形成膜片的導電層;
設置在導電層的周向上以支持導電層的多個支持部;以及
形成在導電層中在連接多個支持部的虛線上的皺褶。
5.按照權利要求4的硅傳聲器,其中通過部分減小導電層的厚度形成皺褶。
6.按照權利要求4的硅傳聲器,其中取代皺褶,通過部分增加導電層的厚度在導電層中形成厚部。
7.一種硅傳聲器,包括:
其中心部形成膜片的導電層;
設置在導電層的周向上以支持導電層的多個支持部;以及
形成在導電層中在連接多個支持部的虛線上的和配置在多個支持部的外部的皺褶。
8.按照權利要求7的硅傳聲器,其中通過部分減小導電層的厚度形成皺褶。
9.按照權利要求7的硅傳聲器,其中取代皺褶,通過部分增加導電層的厚度在導電層中形成厚部。
10.一種電容式傳聲器,包括:
支持部;
具有多個孔和固定電極的板,所述板被支持部支持;以及
具有相對固定電極配置的移動電極的膜片,其中膜片因加于其的聲波而振動,
其中板具有厚度彼此不同的平坦部和臺階部,其中平坦部連續形成在臺階部的兩側,和其中多個孔在厚度方向上貫穿板的平坦部。
11.按照權利要求10的電容式傳聲器,其中多個孔均勻形成和設置在板的平坦部中。
12.按照權利要求10的電容式傳聲器,其中多個孔通過避開臺階部沿多條線或沿多個圓排列。
13.按照權利要求10的電容式傳聲器,其中膜片具有與板的臺階部符合的在其厚度方向上彎曲的彎曲部,使得彎曲部沿臺階部延長。
14.按照權利要求10的電容式傳聲器,其中膜片具有縫,使板的臺階部形成為符合縫的邊緣和沿縫的邊緣延長。
15.按照權利要求10的電容式傳聲器,其中板的臺階部形成為符合膜片的邊緣和沿膜片的邊緣延長。
16.按照權利要求10的電容式傳聲器,其中形成在臺階部附近的每一孔的開口面積小于遠離臺階部的每一孔的開口面積。
17.一種電容式傳聲器的制造方法,該電容式傳聲器包括支持部、被支持部支持和具有固定電極和多個孔的板、以及具有相對固定電極配置的移動電極和因加于其的聲波而振動的膜片,所述制造方法包括以下步驟:
通過沉積形成具有在厚度方向上彎曲的彎曲部的膜片;
通過沉積在膜片上形成覆蓋彎曲部的犧牲層;
通過沉積在犧牲層上形成具有平坦部和臺階部的板,其中平坦部連續形成在臺階部的兩側,和其中臺階部形成為符合膜片的彎曲部;
蝕刻板以形成在厚度方向上貫穿板的平坦部的多個孔;以及
蝕刻犧牲層以形成膜片與板之間的空氣間隙。
18.一種電容式傳聲器的制造方法,該電容式傳聲器包括支持部、被支持部支持和具有固定電極和多個孔的板、以及具有相對固定電極配置的移動電極和因加于其的聲波而振動的膜片,所述制造方法包括以下步驟:
通過沉積形成膜片;
蝕刻膜片以形成在厚度方向上貫穿膜片的縫;
在膜片上形成覆蓋縫的犧牲層;
通過沉積在犧牲層上形成具有平坦部和臺階部的板,其中平坦部連續形成在臺階部的兩側,和其中臺階部形成為符合膜片的縫的邊緣;
蝕刻板以形成在厚度方向上貫穿平坦部的多個孔;以及
蝕刻犧牲層以形成膜片與板之間的空氣間隙。
19.一種電容式傳聲器的制造方法,該電容式傳聲器包括支持部、被支持部支持且具有固定電極和多個孔的板、以及具有相對固定電極配置的移動電極和因加于其的聲波而振動的膜片,所述制造方法包括以下步驟:
通過沉積形成膜片;
通過沉積形成覆蓋膜片的邊緣的犧牲層;
通過沉積在犧牲層上形成具有平坦部和臺階部的板,其中平坦部連續形成在臺階部的兩側,和其中臺階部形成為符合膜片的邊緣;
蝕刻板以形成在厚度方向上貫穿板的平坦部的多個孔;以及
蝕刻犧牲層以形成膜片與板之間的空氣間隙。
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