[發明專利]半導體裝置

有效

• 申請號: 200710136794.4
• 申請日: 2007-07-27
• 公開（公告）號: CN101123232A
• 公開（公告）日: 2008-02-13
• 發明（設計）人: 中島力;黑澤武史;水野惠
• 申請（專利權）人: 株式會社日立制作所;日立原町電子工業株式會社
• 主分類號: H01L23/48
• 分類號: H01L23/48
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司
• 代理人: 汪惠民

1.一種半導體裝置，具有半導體芯片、引線電極體和支撐電極體，

在半導體芯片和引線電極體之間配設有第二熱應力緩和體，在該第二熱應力緩和體、半導體芯片和引線電極體之間分別設置有接合構件，將第二熱應力緩和體與引線電極體接合，在半導體芯片和支撐電極體之間配設有第一熱應力緩和體，在該第一熱應力緩和體、半導體芯片和支撐電極體之間分別設置有接合構件，將第一熱應力緩和體與支撐電極體接合，第二熱應力緩和體由熱膨脹系數具有半導體芯片和引線電極體的各熱膨脹系數之間的值的特性的材料形成，第一熱應力緩和體由熱膨脹系數具有半導體芯片和支撐電極體的各熱膨脹系數之間的值的特性，并且熱傳導率具有50～300W/(m·℃)的特性的材料形成。

2.一種半導體裝置，具有半導體芯片、引線電極體和支撐電極體，

在半導體芯片和引線電極體之間設置有接合構件，將半導體芯片與引線電極體接合，在半導體芯片和支撐電極體之間配設有第一熱應力緩和體，在該第一熱應力緩和體、半導體芯片和支撐電極體之間分別設置有接合構件，將第一熱應力緩和體與支撐電極體接合，第一熱應力緩和體由熱膨脹系數具有半導體芯片和支撐電極體的各熱膨脹系數之間的值的特性，并且熱傳導率具有50～300W/(m·℃)的特性的材料形成。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

第一熱應力緩和體由熱膨脹系數具有5～11×10^-6(1/℃)特性，并且傳導率具有50～300W/(m·℃)特性的鉬材料、或鉬和銅的復合材料形成。

4.根據權利要求1或者2所述的半導體裝置，其特征在于，

第一熱應力緩和體由熱膨脹系數具有5～11×10^-6(1/℃)特性，并且傳導率具有50～300W/(m·℃)特性的銅/鐵和鎳的合金/銅構成的復合材料形成。

5.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

第二熱應力緩和體，由熱膨脹系數具有3～9×10^-6(1/℃)特性的鉬材料形成。

6.根據權利要求1所述的半導體裝置，其特征在于，

在支撐電極體形成有凹部，在支撐電極體形成的該凹部內部收容有半導體芯片、分別配設在該半導體芯片上部和下部的第二熱應力緩和體和第一熱應力緩和體，并且在該凹部中填充樹脂。

7.根據權利要求2所述的半導體裝置，其特征在于，

在支撐電極體形成有凹部，在支撐電極體形成的該凹部內部收容有半導體芯片、配設在該半導體芯片下部的第一熱應力緩和體，并且在該凹部中填充樹脂。

8.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

引線電極體與引線相接合，支撐電極體與散熱板相接合。

9.根據權利要求1或2所述的半導體裝置，其特征在于，

半導體裝置是用于將交流電變換成直流電的直流變換用的裝置。