[發明專利]檢查方法及設備與光刻設備及器件制造方法有效
| 申請號: | 200710136655.1 | 申請日: | 2007-07-18 |
| 公開(公告)號: | CN101109910A | 公開(公告)日: | 2008-01-23 |
| 發明(設計)人: | 梅西·杜薩;阿瑞·J·登波夫;胡戈·A·J·克拉莫 | 申請(專利權)人: | ASML荷蘭有限公司 |
| 主分類號: | G03F7/20 | 分類號: | G03F7/20;H01L21/027;G06F17/50 |
| 代理公司: | 中科專利商標代理有限責任公司 | 代理人: | 齊曉寰 |
| 地址: | 荷蘭維*** | 國省代碼: | 荷蘭;NL |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢查 方法 設備 光刻 器件 制造 | ||
1.一種測量光刻工藝的參數的方法,在所述光刻工藝中,目標圖案被印刷到襯底上,所述方法包括:
將基準圖案的圖像投影到校準襯底的輻射敏感層上多次,以通過所述光刻工藝形成多個校準圖案,其中不同的參數值用于形成不同的校準圖案,并且基準圖案包括對于參數值變化具有不同敏感度的第一和第二部分;
將輻射檢查束導引到校準圖案上,并且測量從所述校準圖案上反射或散射的輻射束以獲得針對每一個校準圖案的每一個部分的測量結果;
把針對每一個校準圖案的第一部分的測量結果從針對相應校準圖案的第二部分的測量結果中減去,以獲得多個微分測量結果;
將每一個微分測量結果分解為一組基本函數和相關聯的系數,并且獲得系數值和參數值之間的關系;
將基準圖案的圖像投影到襯底的輻射敏感層上,以形成目標圖案,其中用于形成目標圖案的參數值是未知的;
將輻射檢查束導引到目標圖案上,并且測量從目標圖案上反射或散射的輻射,以獲得針對目標部分的每一個部分的目標測量結果;
從針對目標圖案的第二部分的目標測量結果中減去針對目標圖案的第一部分的目標測量結果,以獲得目標微分測量結果;
將目標微分測量結果分解為一組系數與多個基本函數相乘,并且使用系數值和參數值之間的關系來確定用于形成目標圖案的參數值。
2.根據權利要求1的方法,其中,在形成多個校準圖案時改變光刻工藝的兩個參數,從而獲得了每一個參數的值和系數值之間的關系。
3.根據權利要求1的方法,其中,從以下組中選擇參數:用于對基準圖案的圖像進行投影的投影系統的焦距、劑量、和/或像差。
4.根據權利要求1的方法,其中,基準圖案的第一和第二部分每一個均包括主要圖案和輔助特征。
5.根據權利要求4的方法,其中,基準圖案的第一和第二部分的主要圖案實質相同,但是第一部分的輔助特征與第二部分的輔助特征不同。
6.根據權利要求1的方法,其中,選擇基準圖案的第一和第二部分,使得針對給定的參數值,每一部分均形成了輻射敏感層中實質相同的圖案。
7.根據權利要求1的方法,其中,目標圖案下面的結構與校準圖案下面的結構不同。
8.一種獲得校準函數的方法,用于測量光刻工藝的參數,在所述光刻工藝中,目標圖案被印刷到襯底上,所述方法包括:
將基準圖案的圖像投影到校準襯底的輻射敏感層上多次,以通過所述光刻工藝形成多個校準圖案,其中不同的參數值用于形成不同的校準圖案,并且基準圖案包括對于參數值變化具有不同敏感度的第一和第二部分;
將輻射檢查束導引到校準圖案上,并且測量從所述校準圖案上反射或散射的輻射束以獲得針對每一個校準圖案的每一個部分的測量結果;
把針對每一個校準圖案的第一部分的測量結果從針對相應校準圖案的第二部分的測量結果中減去,以獲得多個微分測量結果;
將每一個微分測量結果分解為一組基本函數和相關聯的系數,并且獲得系數值和參數值之間的關系,作為校準函數。
9.一種測量光刻工藝的參數的方法,在所述光刻工藝中,目標圖案被印刷到襯底上,其中基準圖案包括對于參數值的變化具有不同敏感度的第一和第二部分,所述方法包括:
將輻射檢查束投影到目標圖案上,并且測量從所述校準圖案上反射或散射的輻射束,以獲得針對目標圖案的每一個部分的測量結果;
從針對目標圖案的第二部分的測量結果中減去針對目標圖案的第一部分的測量結果,以獲得目標微分測量結果;
將每一個目標微分測量結果分解為一組基本函數和相關聯的系數,并且使用表示系數值和參數值之間關系的校準函數來確定用于形成目標圖案的參數值。
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