[發明專利]半導體器件的制造方法

無效

• 申請號: 200710136624.6
• 申請日: 2007-07-18
• 公開（公告）號: CN101114588A
• 公開（公告）日: 2008-01-30
• 發明（設計）人: 鄭恩洙;金載熙
• 申請（專利權）人: 東部高科股份有限公司
• 主分類號: H01L21/28
• 分類號: H01L21/28;H01L21/336
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司
• 代理人: 鄭小軍

1.一種半導體器件的制造方法，包括以下步驟：

蝕刻半導體襯底以形成溝槽，用于形成器件隔離區和具有第一寬度的半導體凸起部；

在所述半導體襯底上，包括在所述溝槽和所述半導體凸起部上，形成氧化物膜；

在所述氧化物膜上形成絕緣層；

通過拋光所述絕緣層和所述氧化物膜，暴露所述半導體凸起部的上表面；

在所述半導體凸起部的下部區域形成柵極絕緣層；以及

蝕刻所述絕緣層和所述氧化物膜，以暴露所述半導體襯底的上表面。

2.根據權利要求1所述的方法，其中蝕刻所述半導體襯底的步驟包括：

在所述半導體襯底上形成具有所述第一寬度的第一光致抗蝕劑圖案；

使用所述第一光致抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻所述半導體襯底來形成所述半導體凸起部；

在所述半導體襯底上形成第二光致抗蝕劑圖案，該第二光致抗蝕劑圖案暴露出將要形成所述器件隔離區的部分所述半導體襯底；以及

使用所述第二光致抗蝕劑圖案作為掩模，通過蝕刻所述半導體襯底來形成所述溝槽。

3.根據權利要求2所述的方法，還包括：

在形成所述半導體凸起部之后，除去所述第一光致抗蝕劑圖案；以及

在形成所述溝槽之后，除去所述第二光致抗蝕劑圖案。

4.根據權利要求2所述的方法，其中通過蝕刻所述半導體襯底來形成所述溝槽的步驟包括執行反應離子蝕刻處理。

5.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述氧化物膜的步驟包括對所述半導體襯底的表面進行濕式氧化。

6.根據權利要求5所述的方法，其中所述濕式氧化是在900℃到1100℃的高溫下在短時間內使用蒸汽進行的。

7.根據權利要求1所述的方法，其中在形成所述氧化物膜時，40％到50％厚度的所述氧化物膜是在所述半導體凸起部之內形成的，而剩余厚度的所述氧化物膜是在所述半導體凸起部之外形成的，由此所述半導體凸起部具有比所述第一寬度更窄的第二寬度。

8.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述絕緣層的步驟包括形成掩埋所述溝槽和覆蓋所述半導體凸起部的絕緣層。

9.根據權利要求1所述的方法，其中暴露所述半導體凸起部的上表面包括進行化學機械處理。

10.根據權利要求1所述的方法，其中形成所述柵極絕緣層包括使用平面化的所述絕緣層作為掩模，穿過暴露的所述半導體凸起部的上表面注入氧離子。

11.根據權利要求1所述的方法，還包括：

除去暴露的所述半導體凸起部，以在一溝槽中暴露所述柵極絕緣層；以及

在所述溝槽上沉積晶態半導體。

12.根據權利要求11所述的方法，其中所述晶態半導體包括多晶硅。

13.根據權利要求11所述的方法，其中除去暴露的所述半導體凸起部包括使用氟化乙烯丙烯選擇性地濕式蝕刻所述半導體凸起部。