1.一種光掩?；澹伤圃旃庋谀＃摴庋谀０ㄍ该饕r底和在其上 形成的包括對曝光光是透明的區域和有效地不透明的區域的掩模圖案，所述光 掩模是二元掩模，所述光掩?；灏?

透明襯底，

設置在襯底上的具有單層結構或多層結構的光屏蔽膜，所述光屏蔽膜由易 于氟干法蝕刻的物質構成，且

所述物質選自如下之一：

僅硅，

硅化合物，該硅化合物包含硅和至少一種選自氧、氮和碳的元素，和

包含過渡金屬和硅的材料，

鄰接層疊在光屏蔽膜上的減反射膜，所述減反射膜由選自如下的一種物質 構成：

僅硅，

硅化合物，該硅化合物包含硅和至少一種選自氧、氮和碳的元素，和

包含過渡金屬和硅的材料，以及

鄰接層疊在所述減反射膜上的蝕刻掩模膜，所述蝕刻掩模膜由耐氟干法蝕 刻的另一物質構成，和

所述另一物質選自如下之一：

僅鉻，

鉻化合物，該鉻化合物包含鉻和至少一種選自氧、氮和碳的元素且不含 硅，

僅鉭，和

包含鉭且不含硅的鉭化合物，

其中

所述過渡金屬是從鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭和鎢中選出的至 少一種元素，

在光掩模制造過程中最后除去了蝕刻掩模膜并且使用除去了蝕刻掩模膜 的光掩模的情況下，光屏蔽膜和減反射膜的組合的光密度為至少2.5。

2.一種光掩?；澹伤圃旃庋谀?，該光掩模包括透明襯底和在其上 形成的包括對曝光光是透明的區域和有效地不透明的區域的掩模圖案，所述光 掩模是二元掩模，所述光掩?；灏?

透明襯底，

設置在襯底上的具有單層結構或多層結構的光屏蔽膜，具有介于透明襯底 與光屏蔽膜之間的另一膜，所述光屏蔽膜由易于氟于法蝕刻的物質構成，且

所述物質選自如下之一：

僅硅，

硅化合物，該硅化合物包含硅和至少一種選自氧、氮和碳的元素，和

包含過渡金屬和硅的材料，

鄰接層疊在光屏蔽膜上的減反射膜，所述減反射膜由選自如下的一種物質 構成：

僅硅，

硅化合物，該硅化合物包含硅和至少一種選自氧、氮和碳的元素，和

包含過渡金屬和硅的材料，以及

鄰接層疊在所述減反射膜上的蝕刻掩模膜，所述蝕刻掩模膜由耐氟干法蝕 刻的另一物質構成，和

所述另一物質選自如下之一：

僅鉻，

鉻化舍物，該鉻化合物包含鉻和至少一種選自氧、氮和碳的元素且不含 硅，

僅鉭，和

包含鉭且不含硅的鉭化合物，

其中

所述過渡金屬是從鈦、釩、鈷、鎳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭和鎢中選出的至 少一種元素，

在光掩模制造過程中最后除去了蝕刻掩模膜并且使用除去了蝕刻掩模膜 的光掩模的情況下，光屏蔽膜和減反射膜的組合的光密度為至少2.5。

3.根據權利要求1或2的光掩?；猓渲兴鰷p反射膜和所述蝕刻掩模 膜由不同元素組成或者由不同組成比的相同元素組成。

4.權利要求3的光掩模基扳，其中所述減反射膜包含金屬，所述光屏蔽 膜包含相同的金屬。

5.權利要求1或2的光掩?；?，其中所述光屏蔽膜在氟干法蝕刻中相 對于所述蝕刻掩模膜具有至少2的選：擇比。

6.權利要求1或2的光掩?；?，其中所述透明襯底在氟干法蝕刻中相 對于所述蝕刻掩模膜具有至少10的選擇比。

7.權利要求1或2的光掩?；?，其中所述蝕刻掩模膜由單獨的鉻組成 或者由含鉻以及從氧、氮和碳中選出的至少一種元素的鉻化合物組成。

8.權利要求7的光掩?；?，其中所述鉻化合物包含至少50原子％的鉻。

9.權利要求1或2的光掩?；澹渲兴鑫g刻掩模膜由單獨的鉭組成 或者由含鉭且不舍硅的鉭化合物組成。