[發(fā)明專利]光學(xué)元件的制造方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 200710136167.0
• 申請(qǐng)日: 2007-07-19
• 公開（公告）號(hào): CN101153927A
• 公開（公告）日: 2008-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 小谷恭子
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 沖電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): G02B5/18
• 分類號(hào): G02B5/18;G03F7/00;G03F1/14;G03F1/00
• 代理公司: 北京三友知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 黃綸偉

1.一種光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括執(zhí)行如下處理的工序：

準(zhǔn)備基板；

對(duì)所述基板進(jìn)行包括使用光掩模進(jìn)行的曝光處理的構(gòu)圖，形成抗蝕劑圖形，其中，所述光掩模是用于形成抗蝕劑圖形的曝光用的光掩模，且所述光掩模具有掩模基板、以及與該掩?；寰o密結(jié)合且以矩陣方式排列而成的多個(gè)掩模單元，所述掩模單元具有光透過區(qū)域和利用設(shè)置于所述掩模基板上的遮光膜形成的遮光區(qū)域中的任意一方或雙方，所述掩模單元的透過光的光強(qiáng)是歸一化光強(qiáng)，且多個(gè)所述掩模單元的透過光的光強(qiáng)是不同的；以及

將所述抗蝕劑圖形用作蝕刻掩模，進(jìn)行構(gòu)圖。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，在所述形成抗蝕劑圖形的工序中，對(duì)基板進(jìn)行包括使用光掩模進(jìn)行曝光處理的構(gòu)圖，形成抗蝕劑圖形，其中，

所述光掩模是用于形成抗蝕劑圖形的曝光用的光掩模，其具有透明的掩模基板以及與該掩?；寰o密結(jié)合且以矩陣方式排列而成的多個(gè)正方形的掩模單元，

所述抗蝕劑圖形具有：抗蝕劑中心部，其膜厚從中心點(diǎn)沿外周以m級(jí)的階梯狀變化；以及多個(gè)圓環(huán)狀的抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位，其環(huán)繞該抗蝕劑中心部，以所述中心點(diǎn)為中心排列成同心圓狀，并且，膜厚以n級(jí)的階梯狀變化，其中，m和n是相同的任意的正整數(shù)，

所述掩模單元具有光透過區(qū)域和利用設(shè)置于所述掩?；迳系恼诠饽ば纬傻恼诠鈪^(qū)域中的任意一方或雙方，

所述掩模單元的透過光的光強(qiáng)是歸一化光強(qiáng)，且多個(gè)所述掩模單元的透過光的光強(qiáng)的設(shè)定如下：將所述抗蝕劑中心部的所述中心點(diǎn)以及由所述抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位勾畫出第1級(jí)的高度的掩模單元的光強(qiáng)設(shè)為第1光強(qiáng)，將包括位于該第1級(jí)的外側(cè)而依次排列的1個(gè)或2個(gè)以上的級(jí)、且勾畫出作為相應(yīng)級(jí)的最終級(jí)的第X級(jí)的高度的掩模單元的所有光強(qiáng)設(shè)為第X光強(qiáng)，所述抗蝕劑中心部的所述中心點(diǎn)以及沿所述抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位的外周方向順序的掩模單元的光強(qiáng)從所述第1光強(qiáng)變化到第X光強(qiáng)，其中，第1光強(qiáng)和第X光強(qiáng)為0≤第1光強(qiáng)＜第2光強(qiáng)…第X-1光強(qiáng)＜第X光強(qiáng)，X是與m和n相等的2以上的正整數(shù)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，在所述形成抗蝕劑圖形的工序中，對(duì)所述基扳使用光掩模，其中，

所述光掩模是用于形成抗蝕劑圖形的曝光用的光掩模，其具有：透明的掩模基板以及與該掩?；寰o密結(jié)合且以矩陣方式排列而成的多個(gè)正方形的掩模單元，

所述抗蝕劑圖形具有：抗蝕劑中心部，其膜厚從中心點(diǎn)沿外周以m級(jí)的階梯狀變化；以及多個(gè)圓環(huán)狀的抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位，其環(huán)繞該抗蝕劑中心部，以所述中心點(diǎn)為中心排列成同心圓狀，并且膜厚以n級(jí)的階梯狀變化，其中，n是按照每個(gè)抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位而不同的作為正整數(shù)的任意的變量，m和n是相同或不同的任意的正整數(shù)，

所述掩模單元具有光透過區(qū)域和利用設(shè)置于所述掩?；迳系恼诠饽ば纬傻恼诠鈪^(qū)域中的任意一方或雙方，

所述掩模單元的透過光的光強(qiáng)是歸一化光強(qiáng)，且多個(gè)掩模單元的透過光的光強(qiáng)的設(shè)定如下：將所述抗蝕劑中心部的所述中心點(diǎn)以及由所述抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位勾畫出第1級(jí)的高度的掩模單元的光強(qiáng)設(shè)為第1光強(qiáng)，將包括位于該第1級(jí)的外側(cè)而依次排列的1個(gè)或2個(gè)以上的級(jí)、且勾畫出作為相應(yīng)級(jí)的最終級(jí)的第X級(jí)的高度的掩模單元的所有光強(qiáng)設(shè)為第X光強(qiáng)，將最終級(jí)為第Y級(jí)的相應(yīng)第Y級(jí)的第Y光強(qiáng)設(shè)為與所述第X光強(qiáng)相等的強(qiáng)度，將最上級(jí)的光強(qiáng)設(shè)為第1光強(qiáng)，其中，X是m和n中的最大值，第1光強(qiáng)和第X光強(qiáng)為0≤第1光強(qiáng)＜第2光強(qiáng)…第X-1光強(qiáng)＜第X光強(qiáng)，Y是m和n中小于X的正整數(shù)。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，所述m、所述n以及所述Y均為7。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，所述m和所述n均為7，并且，所述Y為6。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中的任意一項(xiàng)所述的光學(xué)元件的制造方法，其特征在于，所述掩模單元的一邊的長(zhǎng)度被設(shè)定為短于使用所述光掩模的曝光裝置的光學(xué)系統(tǒng)的分辨極限長(zhǎng)度，所述光強(qiáng)被分別設(shè)定為如下的值：按照所述抗蝕劑中心部以及每個(gè)所述抗蝕劑結(jié)構(gòu)單位而相互離散，且沿外周方向而使前后的掩模單元之間的變化量增大。