[發(fā)明專利]利用無電膜沉積形成平坦化Cu互連層的設備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 200710135785.3 | 申請日： | 2004-03-23 |
| 公開（公告）號： | CN101174545A | 公開（公告）日： | 2008-05-07 |
| 發(fā)明（設計）人： | 弗雷德·C·雷德克;約翰·博伊德 | 申請（專利權）人： | 蘭姆研究公司 |
| 主分類號： | H01L21/00 | 分類號： | H01L21/00;H01L21/768;H01L21/288;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京康信知識產權代理有限責任公司 | 代理人： | 余剛;李丙林 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 利用 無電膜 沉積 形成 平坦 cu 互連 設備 | ||
【權利要求書】：
1.一種用于制造平坦化表面的設備，包括：
晶片支撐體，其用于固定具有一定面積的晶片；
工件，包括：
含有無電鍍覆溶液并具有跨越一側的包括陶瓷的柔性多孔膜的容器；
接合機構，其能夠使所述工件和所述晶片相互接觸；和
用于在所述工件和所述晶片之間引入相對橫向運動的裝置。
2.如權利要求1的設備，其中所述多孔膜具有約5％～約50％的孔隙率。
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- 專利分類
H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
