[發(fā)明專利]具有浮動(dòng)電極的液晶顯示面板有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 200710135766.0 | 申請(qǐng)日: | 2007-08-16 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN101126874A | 公開(kāi)(公告)日: | 2008-02-20 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張鐘雄;權(quán)英根 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星電子株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | G02F1/1343 | 分類號(hào): | G02F1/1343;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 北京康信知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 | 代理人: | 章社杲;吳貴明 |
| 地址: | 韓國(guó)*** | 國(guó)省代碼: | 韓國(guó);KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 浮動(dòng) 電極 液晶顯示 面板 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種液晶顯示(LCD)面板,且更具體地,本發(fā)明涉及一種具有提高的圖像質(zhì)量的LCD面板。
背景技術(shù)
液晶顯示(LCD)面板包括一對(duì)相對(duì)的基板,其中液晶層介于其間。這兩個(gè)基板之一是具有共用電極的共用電極基板,而另一基板是具有多個(gè)薄膜晶體管(TFT)的TFT基板。共用電極基板和TFT基板由設(shè)置在共用電極基板和TFT基板兩者的邊緣處的密封線組裝。液晶層設(shè)置在共用電極基板與TFT基板之間。液晶層的液晶分子根據(jù)分別提供至共用電極基板和TFT基板的電(electricity)而排列。
TFT基板具有多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、和多個(gè)像素。每條柵極線水平延伸并傳輸柵極信號(hào)。另一方面,每條數(shù)據(jù)線垂直延伸并傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。每個(gè)像素可由一條柵極線和一條數(shù)據(jù)線限定并具有開(kāi)關(guān)元件和存儲(chǔ)電容。
開(kāi)關(guān)元件可接近一條柵極線和一條數(shù)據(jù)線的交叉點(diǎn)形成。開(kāi)關(guān)元件為薄膜晶體管(TFT),其中柵電極連接于柵極線,源電極連接于數(shù)據(jù)線,而漏電極連接于像素電極。漏電極可電連接于液晶電容器以及連接于存儲(chǔ)電容。
由于不是自發(fā)射顯示裝置,所以LCD模塊具有位于LCD面板后方的背光單元,該背光單元向LCD面板提供光。使用從背光單元提供的光,每個(gè)像素液晶分子的排列通過(guò)選擇性地使光傳遞至顯示圖像來(lái)控制LCD面板的透射率。
使用上述結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)LCD模塊,光易于在數(shù)據(jù)線與像素電極之間的間隙中泄漏,使得圖像質(zhì)量變差。因此,為了減少光泄漏,通常調(diào)整共用電極基板上的黑矩陣。具體地,黑矩陣位于泄漏光經(jīng)過(guò)之處。然而,黑矩陣可導(dǎo)致整個(gè)LCD模塊的孔徑比更小,使得顯示器亮度降低,從而導(dǎo)致圖像質(zhì)量變差。
此外,使用傳統(tǒng)的LCD模塊,數(shù)據(jù)信號(hào)和像素電極可相互影響。即,在數(shù)據(jù)線和像素電極之間可能發(fā)生電荷耦合(chargecoupling),造成沿?cái)?shù)據(jù)線的不規(guī)則垂直色度亮度干擾(crosstalk)。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的一個(gè)方面在于提供一種在數(shù)據(jù)線與像素電極之間具有較少的光泄漏和電荷耦合的LCD模塊,以提高LCD模塊的圖像質(zhì)量。
本發(fā)明的前述和/或其它方面通過(guò)提供具有多條柵極線、多條數(shù)據(jù)線、多個(gè)像素和浮動(dòng)電極的LCD面板而實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,浮動(dòng)電極包括:阻光圖案,沿?cái)?shù)據(jù)線延伸;像素間(inter-pixel)連接圖案,連接不同像素的阻光圖案;以及像素內(nèi)(intra-pixel)連接圖案,連接一個(gè)像素內(nèi)的阻光圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,浮動(dòng)電極包括:阻光圖案,沿?cái)?shù)據(jù)線延伸;以及多個(gè)像素間連接圖案,每一個(gè)連接不同像素的阻光圖案。
根據(jù)本發(fā)明的替換實(shí)施例,浮動(dòng)電極包括寬于數(shù)據(jù)線并與該數(shù)據(jù)線交疊的阻光圖案。
根據(jù)本發(fā)明的另一替換實(shí)施例,浮動(dòng)電極包括阻光圖案以及連接水平方向鄰近像素的阻光圖案的像素間連接圖案。此外,橋電極連接一個(gè)像素的阻光圖案和垂直方向鄰近像素中的像素間連接圖案。
附圖說(shuō)明
本發(fā)明的上述和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將從下面結(jié)合附圖對(duì)示例性實(shí)施例的詳細(xì)描述而變得更容易理解,附圖中:
圖1A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的薄膜晶體管(TFT)基板的像素布局圖;
圖1B是沿根據(jù)本發(fā)明的圖1A的示例性實(shí)施例的線Ib-Ib′截取的像素的橫截面圖;
圖1C是沿根據(jù)本發(fā)明的圖1A的示例性實(shí)施例的線Ic-Ic′截取的像素的橫截面圖;
圖1D是形成在根據(jù)本發(fā)明的圖1A的示例性實(shí)施例的TFT基板上的浮動(dòng)電極的布局圖;
圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的共用電極基板的像素布局圖;
圖3A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示(LCD)面板(其作為圖1A的TFT基板的組件)的像素和圖2的共用電極基板的結(jié)合布局圖;
圖3B是沿根據(jù)本發(fā)明的圖3A的示例性實(shí)施例的線IIIb-IIIb′截取的像素的橫截面圖;
圖4是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的TFT基板的簡(jiǎn)化整體布局圖;
圖5A是根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的TFT基板的像素布局圖;
圖5B是形成在根據(jù)本發(fā)明的圖5A的示例性實(shí)施例的TFT基板上的浮動(dòng)圖案的布局圖;
圖6A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的TFT基板的像素布局圖;
圖6B是沿根據(jù)本發(fā)明的圖6A的示例性實(shí)施例的線VIb-VIb′截取的像素的橫截面圖;
圖6C是形成在根據(jù)本發(fā)明的圖6A的示例性實(shí)施例的TFT基板上的浮動(dòng)圖案的布局圖;
圖7A是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的TFT基板的像素布局圖;
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G02F 用于控制光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如轉(zhuǎn)換、選通、調(diào)制或解調(diào),上述器件或裝置的光學(xué)操作是通過(guò)改變器件或裝置的介質(zhì)的光學(xué)性質(zhì)來(lái)修改的;用于上述操作的技術(shù)或工藝;變頻;非線性光學(xué);光學(xué)
G02F1-00 控制來(lái)自獨(dú)立光源的光的強(qiáng)度、顏色、相位、偏振或方向的器件或裝置,例如,轉(zhuǎn)換、選通或調(diào)制;非線性光學(xué)
G02F1-01 .對(duì)強(qiáng)度、相位、偏振或顏色的控制
G02F1-29 .用于光束的位置或方向的控制,即偏轉(zhuǎn)
G02F1-35 .非線性光學(xué)
G02F1-355 ..以所用材料為特征的
G02F1-365 ..在光波導(dǎo)結(jié)構(gòu)中的





