[發明專利]基于平面結構的Ⅲ族氮化物半導體發光二極管及其制備方法

無效

• 申請號: 200710135014.4
• 申請日: 2007-11-06
• 公開（公告）號: CN101202320A
• 公開（公告）日: 2008-06-18
• 發明（設計）人: 陸海;苗操;張榮;鄭有炓
• 申請（專利權）人: 南京大學
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00
• 代理公司: 南京天翼專利代理有限責任公司
• 代理人: 湯志武;王鵬翔

1.基于平面結構的III族氮化物半導體發光二極管，其特征是在襯底材料上分別設有氮化物半導體緩沖層、氮化物半導體有源層、氮化物半導體接觸層，兩連線電極被制備在氮化物半導體有源層同一側的接觸層上；該緩沖層的材質是氮化鋁鎵銦Al_1-x-yGa_xIn_yN，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；單層或者變組分的多層結構；總厚度介于0.01-100μm之間；可以在生長中采取非有意摻雜、N型摻雜、或P型摻雜；所述有源發光層的材質是氮化鋁鎵銦，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，；單層或者變組分的多層結構；總厚度介于0.001-10μm之間；可以在生長中采取非有意摻雜、N型摻雜、或P型摻雜；所述接觸層的材質是氮化鋁鎵銦，其中0≤X＜1，0≤Y＜1，；單層或者變組分的多層結構；總厚度介于0.001-10μm之間；可以在生長中采取非有意摻雜、N型摻雜、或P型摻雜；在氮化物半導體接觸層；所述電極是肖特基接觸或者歐姆接觸電極。

2.根據權利要求1所述的基于平面結構的III族氮化物半導體發光二極管，其特征是將所制發光二極管的兩個連線電極直接制備在發光二極管有源區的同一側。

3.根據權利要求1所述的基于平面結構的III族氮化物半導體發光二極管，其特征是電極是叉指型電極。

4.根據權利要求1所述的基于平面結構的III族氮化物半導體發光二極管，其特征是所用電極材料一般為金屬或其復合結構或者電阻率小于1.0Ω.cm的材料。

5.基于平面結構的III族氮化物半導體發光二極管的制備方法，其特征是在藍寶石或硅襯底上用化學氣相沉積的方法分別生長基于III族氮化物半導體材料的緩沖層、有源發光層和接觸層；在完成氮化物半導體薄膜結構生長的晶片的同一面直接制備發光二極管的兩個接觸電極；該緩沖層的材質是氮化鋁鎵銦(Al_1-x-yGa_xIn_yN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；單層或者變組分的多層結構；總厚度介于0.01-100μm之間；有源發光層的材質是氮化鋁鎵銦(Al_1-x-yGa_xIn_yN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；單層或者變組分的多層結構；總厚度介于0.001-10μm之間；接觸層的材質是氮化鋁鎵銦(Al_1-x-yGa_xIn_yN)，其中0≤X＜1，0≤Y＜1；單層或者變組分的多層結構；總厚度介于0.001-10μm之間；該發光二極管的兩個接觸電極在有源發光層的同一側。