[發明專利]基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法無效
| 申請號： | 200710133293.0 | 申請日： | 2007-09-27 |
| 公開（公告）號： | CN101140978A | 公開（公告）日： | 2008-03-12 |
| 發明（設計）人： | 王寅崗;李子全;周廣宏 | 申請（專利權）人： | 南京航空航天大學 |
| 主分類號： | H01L43/12 | 分類號： | H01L43/12;H01L41/22 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利事務所 | 代理人： | 闕如生 |
| 地址： | 211100江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 基于 薄膜 多層 納米 磁電 器件 無掩模 制備 方法 | ||
1.一種基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于包括以下步驟：
(1)、按襯底、緩沖層、磁性層、保護層的順序沉積制作磁性器件基體，在沉積磁性層時，根據需要施加50～500Oe的平面誘導磁場或沉積完成后進行必要磁場熱處理；
(2)、利用聚焦鎵離子工作站作為加工設備，進行無掩膜離子輻照加工；
(3)、其中離子輻照參數為：離子輻照的劑量為1×1013～1×1018ions/cm2，離子束能量為20～30keV，離子束流為100pA～5nA；
(4)、利用聚焦離子束工作站在磁性薄膜器件的周圍沉積出所需的電極。
2.根據權利要求1所述的基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于：所述磁性層為磁記錄薄膜/多層膜，所述離子輻照參數中離子輻照的劑量為1×1013～5×1014ions/cm2。
3.根據權利要求1所述的一種基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于：所述磁性層為鐵磁膜，所述離子輻照參數中離子輻照的劑量為1×1014～1×1015ions/cm2。
4.根據權利要求1所述的一種基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于：所述磁性層為自旋閥結構多層膜，所述離子輻照參數中離子輻照的劑量為5×1014～5×1015ions/cm2。
5.根據權利要求1所述的一種基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于：所述磁性層為自旋隧道結結構多層膜，所述離子輻照參數中離子輻照的劑量為1×1015～5×1016ions/cm2。
6.根據權利要求1所述的一種基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于：所述磁性層為磁致伸縮薄膜，所述離子輻照參數中離子輻照的劑量為1×1017～1×1018ions/cm2。
7.根據權利要求1所述的一種基于薄膜/多層膜納米磁電子器件的無掩模制備方法，其特征在于利用聚焦鎵離子工作站制作加工磁電子器件，其磁敏感單元的形狀為三角形、矩形、正六邊形、圓形、橢圓形或其它給定圖案。
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